Применение нанокластеров в оптоэлектронике. Фотоприемники и солнечные элементы
3. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов
Если кластеры составляют основную часть материала, то изменения их размеров и концентрации приводят к изменению фундаментальных свойств полупроводника, таких как ширина запрещенной зоны, величина проводимости, энергия фундаментальных оптических переходов и др.
Это открывает возможности для конструирования новых полупроводниковых материалов, свойства которых могут значительно отличаться от свойств, проявляемых тем же полупроводником в монокристаллическом или аморфном состояниях.
Содержание
- Введение
- 1. Нанокластеры и их энергетическое состояние
- 2. Методы исследования структур с нанокластерами
- 2.1 Сканирующая зондовая микроскопия
- 2.2 Электронная оже-спектроскопия и растровая электронная микроскопия
- 2.3 Локальный анализ нанокластеров методом растровой оже-микроскопии
- 3. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов
- 3.1 ”Захороненные” барьеры Шоттки
- 3.2 Кластер, как участок кристаллической решетки, обработанный пассивирующим веществом
- 4. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице
- 4.1 Имплантация в кремний ионов кислорода и бора
- 4.2 Изучение оптических свойства полученных структур
- Заключение
Похожие материалы
- 5.Применение фотодиода в оптоэлектронике
- 10.2 Элементы оптоэлектроники.
- Оптоэлектроника
- 8.1 Оптоэлектроника и оптоэлектронные микросхемы
- Фотоприемники излучения
- 2.2. Многоэлементные фотоприемники
- 14) Компоненты оптоэлектроники. Светодиоды. Компоненты оптоэлектроники
- Глава 1 Фотоприемники излучения
- 64 Основные понятия оптоэлектроники.