3.3 Расчет базовой цепи
Для транзисторов УВЧ и СВЧ существенную роль играют LC - элементы, образующиеся между кристаллом и корпусом транзистора. При расчёте входной цепи транзистора с ОЭ предполагается, что между базовым и имиттерным выводами транзистора по радиочастоте включен резистор Rдоп и Rбк (см. рис. 3.3.1), сопротивление которого составляет:
Рис 3.3.1
(3.3.1)
(3.3.2)
Подставляя численные значения в (3.3.1) и (3.3.2) получаем:
Далее расчёт будем вести в соответствии с методикой [5] стр. 112 - 114.
1. Амплитуда тока базы определяется соотношением:
(3.3.3)
где коэффициент равен:
(3.3.4)
Подставляя численные значения в (3.3.3) и (3.3.4) получаем:
2. Напряжение смещения на эмиттерном переходе при = 90 находится как:
(3.3.5)
Где Еотс = 0,7 В (для кремниевого транзистора).
Подставляя численные значения в (3.3.5) получаем:
3. Значение максимального обратного напряжения на эмиттерном переходе определяется формулой:
(3.3.6)
Подставляя численные значения в (1.12) получаем:
По результатам видно. что полученное значение не превышает допустимое значение (Uбэ доп = 4 В).
4. Рассчитаем параметры эквивалентной схемы входного сопротивления транзистора при включении с общим эмиттером:
(3.3.7)
При расчёте входной индуктивности необходимо добавить к Lэ ещё 3 нГн с учётом погонной индуктивности соединительного проводника с кристаллом, тогда получим:
(3.3.8)
При расчёте rвх оэ необходимо учесть, что Ска = Ск/2, а к Lэ также добавляется погонная индуктивность 3 нГн, после подставления в (3.3.8) необходимых значений имеем:
(3.3.9.)
после подстановки значений в (3.3.9), имеем:
(3.3.10)
Подставляя в (3.3.10) численные значения величин, получаем:
5. Активная и реактивная составляющие комплексного выходного сопротивления транзистора вычисляются по формулам:
(3.3.11)
(3.3.12)
Подставляя в (3.3.11), (3.3.12) численные значения величин, получаем значение входного сопротивления транзистора на частоте 80 МГц:
ZВХ = 2,535 + j 3,249 (Ом). (3.3.13)
6. Расчёт входной мощности транзистора:
(3.3.14)
После подстановки получаем:
Вт
7. Расчёт коэффициента усиления по мощности транзистора
(3.3.15)
После подстановки имеем:
8. Определение постоянных составляющих базового и эмиттерного токов:
(3.3.16)
Подставляя численные значения величин в (3.3.16), получаем:
После выполнения расчёта входной (базовой) и коллекторной цепи транзистора (при наихудших условиях) видно, что в выбранном режиме транзистор может обеспечить требуемую мощность 6 Вт на выходе передатчика с Kp =5,119, имеет при этом достаточно высокий КПД 66,4%.
Теперь определим мощность рассеиваемую в транзисторе, значение которой является исходным параметром для расчёта температуры в структуре транзистора и системы его охлаждения.(в данной работе расчёт этих температур не проводится).
Ррас Рк max +Рвх = 4,572 + 1,465 = 6,037 Вт.
В это соотношение подставлены величины рассчитанные по (3.2.8) и (3.3.14). На этом расчёт базовой цепи заканчивается.
- Введение
- 1. Исходные данные и задание на проектирование
- 2. Выбор, описание и обоснование структурной схемы
- 3. Электрический расчёт
- 4.1 Электрический расчёт
- 3.1 Выбор усилительного полупровдникового прибора
- 3.2 Расчёт коллекторной цепи
- 3.3 Расчет базовой цепи
- 3.4 Расчёт цепи питания
- 3.5 Расчет цепи смещения
- 4.2 Конструктивный расчёт
- 7.4. Структурные схемы связных и
- Частотная модуляция
- 3.1. Общие соображения по выбору структурной схемы
- 1.1.2. Выбор способа получения угловой (частотной) модуляции
- Глава 6. Расчет каскадов передатчика с однополосной модуляцией. §1. Предварительные замечания
- §2. Составление блок-схемы передатчика
- Глава 5. Расчет каскадов передатчика с частотной модуляцией. §1. Предварительные замечания.
- §3. Расчет каскадов передатчика с частотной модуляцией косвенным способом.