3.1 Технологический маршрут

1. Резка исходного кристалла на пластины.

2. Механическая обработка пластин:шлифовка, полировка.

3. Химическая обработка пластины.

4. Окисление поверхности кремния.

5. Вскрытие окон под диффузию скрытого коллекторного слоя.

6. Диффузия сурьмы для создания скрытого слоя. (Рис.3.1)

7. Снятие окисла.

8. Осаждение эпитаксиального слоя силановым методом. (Рис.3.2)

9. Окисление поверхности эпитаксиального слоя.

10. Фотолитография.

11. Вскрытие окон под диффузию глубокого коллектора.

12. Диффузия фосфора для создания области глубокого коллектора

13. Снятие окисла.

14. Окисление поверхности эпитаксиального слоя.

15. Фотолитография.

16. Вскрытие окон под диффузию активной базы.

17. Диффузия бора для создания активной базы. (Рис. 3.4)

18. Снятие окисла.

19. Окисление поверхности эпитаксиального слоя.

20. Фотолитография.

21. Анизотропное травление кремния для формирования разделительных канавок. (Рис. 3.5)

22. Снятие окисла.

23. Осаждение трехслойного диэлектрика SiO₂ - Si₃N₄ - SiO_2.

24. Фотолитография для удаления диэлектрика с поверхности (в канавках диэлектрик остается). (Рис.7)

25. Окисление поверхности эпитаксиального слоя.

26. Фотолитография.

27. Вскрытие окон под диффузию эмиттера.

28. Диффузия фосфора для создания эмиттера. (Рис. 3.8)

29. Удаление окисла.

30. Окисление поверхности эпитаксиального слоя. (Рис. 3.9)

31. Фотолитография.

32. Вскрытие окон под металлизацию.(Рис. 3.10)

33. Нанесение алюминия. (Рис. 3.11)

34. Фотолитография и травление алюминия для формирования разводки кристалла. (Рис. 3.12)