1.2 БЛОК ПАМЯТИ ММ

Блок памяти MM (medium memory) состоит из матрицы объединенных между собой БИС ЗУ. Все микросхемы объединены по входам адреса и выходам данных, строка матрицы выбирается с помощью сигнала CS. Количество слов в ОЗУ должно составлять 32768, длина слова - 36 разрядов.

Определим число БИС ЗУ в модуле в целом QM, а также число строк NR и столбцов NC матрицы:

NC = n/nM = 36/8 = [4,5 столбца] = 5 столбцов

NR = N/NM = 32768/2048= 16 строк

QM = (N/NM)(n/nM) = NR NC = 80 микросхем (1)

где N, NM - число слов в модуле и в микросхеме БИС ЗУ; n, nM - число разрядов в модуле ПЗУ и в микросхеме ЗУ соответственно. Очевидно, что число выходов дешифратора DCCS должно быть равно NR. Для хранения контрольных разрядов каждой строки будем использовать микросхемы, расположенные в каждой строке пятого столбца.

Принципиальная электрическая схема блока памяти приведена на рис. 1.2.

Рис. 1.2 - Принципиальная электрическая схема блока памяти