Работа тиристоров

реферат

1.Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров

Приборы с четырехслойной структурой  р-п-р-п  представляют  собой один из видов многочисленного семейства полупроводниковых приборов, свойства которых определяются наличием в толще полупроводниковой пластины смежных слоев с различными типами проводимости. Основу такого прибора составляет кремниевая пластина, имеющая четырехслойную структуру, в которой чередуются слои с дырочной р и электронной n проводимостями (рис. l.a)  Эти четыре слоя образуют три р-п перехода J1,J2, J3. Выводы в приборах с четырехслойной структурой делаются от двух крайних областей (р и n), а в большинстве приборов - и от внутренней области р. 

Крайнюю область р структуры, к которой подключается положительный полюс источника питания, принято называть анодом  A  , крайнюю область n, к которой подключается отрицательный полюс этого источника -катодом К ,а вывод от внутренней области р-управляющим электродом УЭ. Естественно, что для полупроводникового прибора такие определения носят условный характер, однако они получили широкое распространение по аналогии с тиратронами и ими удобно пользоваться при описании схем с этими приборами. 

Согласно ГОСТ 15133-77 все переключающие полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющие три или более р-п перехода, на 

Полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой может быть моделирован комбинацией двух обычных транзисторов с различными типами проводимости(рис.1.б.в); VT1соструктурой p-n-pi и VT2 соструктурой п-р-п.У транзистора VT1 переход J1 является эмиттерным, а переход J2 коллекторным, у транзистора УТ2 эмиттерным служит переход J3, а коллекторным J2, таким образом, оба транзистора имеют общий коллекторный переход J2 (рис. 1.б). Крайние области четырехслойной полупроводниковой структуры являются эмиттерами, а внутренние-базами и коллекторами составляющих транзисторов VT1и VT2.

База и коллектор транзистора VT`соединяются соответственно с коллектором и базой транзистора VT2, образуя цепь внутренней  положительной обратной связи (рис. 1.б.в). Действительно, из рис. l.в видно, что коллекторный ток Ik1

транзистора VT1одновременно является базовым током Iб2, отпирающим транзистор VT2, а коллекторный ток  Ik2 последнего - базовым током  Iб1, отпирающим транзистор VT1, т. е. база каждого транзистора питается коллекторным током другого транзистора.

Делись добром ;)