3.3 Частотные свойства
Параметры моделирования:
.AC LIN 1000 10 2Meg
.STEP V_V1 LIST 10 20 30
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC "..SCHEMATIC1.net"
Рис. 46. Частотная зависимость тока транзистора Дарлингтона при разных напряжениях коллектора
С увеличением напряжения на коллекторе, частотные свойства транзистора Дарлингтона практически не изменяются. В тоже время заметно существенное ухудшение частотных свойств транзистора Дарлингтона (из-за последовательного включения двух транзисторов) по сравнению с обычным биполярным транзистором.
Параметры моделирования:
.AC LIN 1000 10 2Meg
.STEP I_I1 LIST 100u 500u 1000u
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC "..SCHEMATIC1.net"
Рис. 47. Частотная зависимость выходного тока транзистора Дарлингтона при разных входных токах
Как видно из графика граничная частота практически не изменяется с изменением входного тока, в то время как статический коэффициент усиления изменяется существенно, что хорошо заметно на графике токовой зависимости статического коэффициента усиления по току от тока базы приведённым ниже.
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0.1u 5000u 0.1u
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC "..SCHEMATIC1.net"
Рис. 48. График токовой зависимости статического коэффициента усиления по току от тока базы транзистора Дарлингтона
Из данного графика видна более существенная зависимость усилительных свойств транзистора от выбора рабочей точки.
- Введение
- 1. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа
- 1.1 Схема на основе синхронного 4-разрядного двоичного счетчика с двойной синхронизацией К155ИЕ5 (74193)
- 1.1.1 Описание элементов
- 1.1.2 Формирование токов базы транзистора Q3
- 1.1.3 Формирование напряжения на коллекторе
- 1.2.3 Формирование напряжения на коллекторе
- 2. Моделирование характеристик биполярных транзисторов
- 2.1 Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
- 2.1.1 Входные характеристики
- 2.1.2 Выходная характеристика
- 2.2.2 Выходная характеристика
- 3.2 Выходная характеристика
- 2.2.3 Характеристика обратной связи
- 2.2.4 Характеристика прямой передачи
- 2.3 Частотные характеристики
- 2.3.1 В схеме с общей базой
- 2.3.2 В схеме с общим эмиттером
- 2.4.2 В схеме с общим эмиттером
- 2.4.3 Схема с диодом Шоттки
- 2.5 Режимные зависимости усилительных свойств транзистора
- 2.6 Режимные зависимости динамических свойств транзистора
- 3. Моделирование характеристик транзистора Дарлингтона
- 3.1 Входная характеристика
- 3.3 Частотные свойства
- 4. Моделирование характеристик однопереходного транзистора
- 5. Моделирование характеристик тиристоров
- 5.1 Триодный тиристор
- 5.2 Симметричный триодный тиристор
- 5.2.1 Фазовое (временное) регулирование
- 6. оделирование характеристик полевых транзисторов
- 6.1 МДП полевые транзисторы
- 6.1.1 Передаточная характеристика транзистора с индуцированным p- каналом
- 6.1.2 Передаточная характеристика транзистора с встроенным p- каналом
- 6.1.3 Выходная характеристика транзистора с индуцированным p-каналом
- 6.1.4 Температурная зависимость передаточных характеристик МДП транзистора с p и n каналами
- 6.2 Полевые транзисторы с p-n переходом в качестве затвора
- 6.2.1 Передаточная характеристика p-канального полевого транзистора
- 6.2.2 Выходная характеристика p-канального полевого транзистора
- 6.2.3 Температурная зависимость выходной характеристики p-канального полевого транзистора
- 7.1 Выходная характеристика
- 7.2 Характеристика передачи
- 7.3 Температурная зависимость характеристики передачи
- 8. Моделирование характеристик диодов
- 8.1 Вольт-амперные характеристики диода
- 8.1.1 Прямая ветвь ВАХ диода и её температурная зависимость
- 8.1.2 Обратная ветвь ВАХ диода и её температурная зависимость
- 8.1.3 Обратная ветвь ВАХ диода и её температурная зависимость. Область пробоя
- 8.2 Динамические характеристики диода
- 8.2.1 На гармоническом сигнале
- 8.2.1.1 Временная зависимость тока через диод
- 8.2.1.2 Зависимость динамических свойств диода от температуры
- 8.3.1 На импульсном сигнале
- 8.3.1.1 Температурный анализ импульсных свойств диода
- 8.2. Биполярные транзисторы
- «Исследование схем включения биполярного транзистора»
- 3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- 4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой
- Схемы включения биполярных транзисторов
- Эквивалентная схема биполярного транзистора
- Исследование вах биполярных транзисторов
- Исследование и расчет однокаскадных усилителей на биполярном транзисторе