Биполярные транзисторы. Принцип действия. Схемы включения

реферат

4. Схемы включения

При включении транзистора в цепь один из его выводов делают общим для входной и выходной цепей. Поэтому цепи включения бывают: с общей базой (ОБ) (рис.6, а), с общим эмиттером (ОЭ) (рис.6, б) и общим коллектором (ОК) (рис.6, в).

Работу биполярного транзистора в активном режиме рассмотрим на примере биполярного диффузионного сплавного транзистора со структурой p-n-p, включенного по схеме с ОБ в активном режиме. При этом понимает, что заряды распределены равномерно, транзистор замене одноименной моделью, толщина базы незначительная, эмиттер насыщен акцепторной примесью, во много раз превышающей донорную примесь базы, и площадь эмиттера значительно меньше площади коллектора.

Рисунок 6 - схемы включения p-n-p транзисторов и их структуры (а - с общей базой, б - с общим эмиттером, в - с общим коллектором).

В активном режиме прямое смещение эмиттерного перехода создается за счет включения источника постоянного напряжения, а обратное смещение коллекторного перехода - за счет включения источника между коллектором и базой (рис.7). Напряжение -Uэб имеет небольшое значение, близкое к высоте потенциального барьера, и составляет доли вольта. Напротив, напряжение Uкб на порядок больше напряжения -Uэб и ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода. При включении источников питания потенциальный барьер эмиттерного перехода снижается за счет напряжения -Uэб, а потенциальный барьер коллекторного перехода повышается за счет напряжения -Uкб. В результате дырки эмиттера легко преодолевают понизившийся потенциальный барьер и за счет диффузии инжектируется в базу, а электроны базы - в эмиттер.

Дырки эмиттера диффундируют в базу и движутся в направлении к коллекторному переходу за счет перепада плотности дырок по длине базы, большинство из них доходит до коллекторного перехода, но незначительная часть рекомбинирует с электронами базы. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы - в коллектор и электронов коллектора - в базу. Их количество растет с повышением температуры, а также зависит от материала полупроводника.

Рисунок 7 - активный режим работы транзистора

транзистор эмиттер коллектор

Делись добром ;)