2.1 Расчёт оконечного каскада

Угол отсечки коллекторного тока транзистора выбирается обычно для критического режима классаВ:к = 90 (1 = 0,5; 0 = 0,318).

1)Коэффициент использования коллекторного напряжения транзистора в граничном режиме:

где Sгр=0,46 См и для транзистора КТ909А.

При этом напряжение эквивалентного генератора:

2)Амплитуда тока первой гармоники коллектора:

3)Проверка допустимого напряжения коллекторного перехода, который для транзистора КТ909А равен 60В:

4)Нагрузка эквивалентного генератора:

5)Амплитуда импульса коллекторного тока:

6)Постоянный ток коллектора:

7)Мощность, потребляемая от источника питания:

8)Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

9)КПД генератора:

10)Угол дрейфа носителей тока через базу:

где для транзистора КТ909А.

11)Нижний угол отсечки импульсов эмиттерного тока:

Затем по таблице коэффициентов А. И. Берга находим коэффициенты разложения б1э=0,481 и б0э=0,297, а также cos=0,122.

12)Постоянный ток эмиттера:

13)Амплитуда эмиттерного тока:

14) Ток первой гармоники эмиттера:

15) Крутизна тока коллектора на рабочей частоте:

где .

16)Амплитуда переменного напряжения возбуждения базы:

17)Модуль коэффициента передачи напряжения возбуждения с входных электродов (б-э) на р-n-переход (б-э) определяется в соответствии с рисунком 2.3:

Рисунок2.3 - Схема внутреннего делителя напряжения б-э транзистора

18) Приближенное значение входного сопротивления транзистора на рабочей частоте:

19)Мощность сигнала на входе оконечного каскада (ОК):

20)Коэффициент усиления мощности в оконечном каскаде:

21)Тепловое сопротивление радиатора охлаждения транзистора

гдеtср ? +(30 - 40)С - температура окружающей транзистор среды;

Rп-к=3.8 С/Вт - тепловое сопротивление (переход - корпус) транзистора;

Rк.т? (0,5 - 1) - тепловое сопротивление между теплоотводом и корпусом транзистора, С/Вт.

По тепловому сопротивлению радиатора охлаждения Rт можно определить его объем и форму конструкции.