Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

курсовая работа

6. Определение режимов базовой диффузии

Формирование базовой области проведем методом имплантации ионов бора В с последующей термической диффузией имплантированных ионов.

Выбираем дозу имплантированных ионов бора Ф = 10 мкКл/см2 и энергию имплантированных ионов ЕИ = 20 кэВ. Профиль распределения примеси после термической диффузии имплантированных ионов описывается следующим выражением:

, (6.1)

глубина залегания p-n-перехода коллектор-база:

, (6.2)

где [см-3]; NП = NЭС [см-3]. Согласно соотношению (5.3) положим, что N = 5*1019 см-3.

Температуру базовой диффузии выбираем равной 1150 0С. При этом D(1150 0C) = 7*10-13 см2/c.

Определяем время базовой диффузии из выражения (6.2):

Определяем параметры ионной имплантации:

см-2,

С помощью формулы (1.2) найдем дозу облучения

мкКл/см2.

Профиль распределения примеси в базовом слое описывается следующим выражением:

.

Делись добром ;)