Похожие главы из других работ:
Автоматизированная система изучения тепловых режимов устройств ЭВС
Компоненты электронно-вычислительных систем функционируют строго в ограниченном температурном диапазоне. Уход температуры за указанные пределы может привести к необратимым структурным изменениям компонентов...
Проектирование интегрального параметрического стабилизатора напряжения
При использовании данной технологии (метода самоизоляции n-областью) формирование элементов в кристалле достигается путем проведения одновременной диффузии фосфора и мышьяка в едином технологическом цикле...
Разработка усилителя мощности звуковых частот для громкой сигнализации
Расчет базовой расчетной схемы усилителя, которая представлена на рисунке 1.2.
Определим требуемые значения коэффициента усиления усилителя мощности:
где...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Температура эпитаксии обычно равна 1150?1200 0С. Зададим температуру эпитаксии ТЭ=1150 0С.
Скорость наращивания ЭС соответствует диапазону vЭН = 0,1?0,3 мкм/мин. Выбираем vЭН = 0,2 мкм/мин.
Следовательно...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Разделительные дорожки (РД) формируются путем диффузии бора В+ с поверхности ЭС вглубь до смыкания с подложкой. При этом глубина залегания РД должна быть меньше ЭС на 1 мкм, т.е.
xjРD = hЭС + 1 мкм. (5.1)
В нашем случае, согласно выражению (5.1) xjРD = 7,062 мкм...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Эмиттерные области формируются путем диффузии фосфора P. Глубина перехода эмиттер-база определяется на основании следующих значений:
выбранного нами значения глубины залегания xjКБ = 3 мкм,
заданного в задании значения ширины активной базы Wa = 0...
Смеситель УКВ-радиовещательного приемника
...
Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Диффузией называется процесс переноса атомов в результате теплового движения. Направленная диффузия атомов в твердом теле возникает при наличии градиента концентрации или градиента температур...
Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Диффузия основных примесей в кремний (бор, алюминий, фосфор, сурьма, мышьяк) идет по вакансиям, а прочих примесей (золото, железо и др.) - по междоузлиям.
Концентрация примеси при диффузии в полупроводник наибольшая в поверхностном слое...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Сущность легирования состоит в том, что в полупроводник внедряется легирующая примесь и образует область с определённым типом проводимости. Чтобы получить p-n переход, количество введённой примеси должно быть достаточным...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Исходные данные для расчета:
Так как удельное сопротивление в подложке...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Так как эмиттерная диффузия осуществляется на глубину менее 2 мкм, то она будет проводиться в одну стадию - этап загонки.
а. Определим исходную концентрацию примеси в базе на глубине эмиттерного перехода
б...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Режим получения пленки нитрида кремния
Нитрид кремния получают методом химического осаждения при температуре . Для получения данной пленки используются установки эпитаксиального наращивания или однозонные диффузионные печи...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Т.к. диффузия базового слоя производится на глубину 1,8 мкм, то она будет проходить в два этапа: этап загонки и разгонки примеси. Расчет начнем с этапа разгонки.
Этап разгонки примеси бора...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Т.к. эмиттерная диффузия осуществляется на глубину менее 2 мкм, то она будет проводиться в одну стадию - этап загонки.
При расчете режимов одностадийной диффузии выбор времени и температуры диффузии так же, как и в случае двухстадийной диффузии...