1.1 Понятие о p-n-переходе
Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход. Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного типа проводимости, объединенную основными носителями заряда. В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p-n слое переходы бывают ступенчатыми (резкими) и плавными.
В плавных p-n-переходах изменение концентрации донорных (Nd), и акцепторных (Na) примесных атомов происходит на расстоянии, сравнимом с шириной обеднённого слоя или превышающем её. В резких p-n-переходах изменение концентрации примесных атомов от Nd до Na происходит на расстоянии, меньшем ширины обеднённого слоя [8]. Резкость границы играет существенную роль, т.к. в плавном p-n-переходе трудно получить те вентильные свойства, которые необходимы для работы диодов и транзисторов [4].
На рис. 1.1 представлено распределение зарядов в полупроводниках при плавном и резком изменении типа проводимости.
Рисунок 1.1 - Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике при изменении типа проводимости: (а) плавное изменение типа проводимости; (б) резкое изменение типа проводимости.
При плавном изменении типа проводимости (рис. 1.1.а) градиент концентрации Отношение изменения концентрации носителей заряда к расстоянию на котором это изменение происходит называется градиентом концентрации: grad n = ?n/?x = dn/dx результирующей примеси мал, соответственно малы и диффузионные токи Диффузионным током называют ток, вызванный тепловым движением электронов. электронов и дырок.
Эти токи компенсируются дрейфовыми токами Ток, созданный зарядами, движущимися в полупроводнике из-за наличия электрического поля и градиента потенциала называется дрейфовым током., которые вызваны электрическим полем, связанным с нарушением условия электрической нейтральности:
n + Na = p + Nd, (1.1.1)
где n и p - концентрация электронов и дырок в полупроводнике:
Na, Nd - концентрация ионов акцепторной и донорной примесей.
Для компенсации диффузионных токов достаточно незначительного нарушения нейтральности, и условие (1.1.1) можно считать приближенно выполненным.
Условие электронейтральности свидетельствует о том, что в однородном полупроводнике независимо от характера и скорости образования носителей заряда в условиях как равновесной, так и не равновесной концентрации не могут иметь место существенные объемные заряды в течение времени, большего (3-5)фе (фе?10-12 с), за исключением участков малой протяжённости:
,
где фе - время диэлектрической релаксации; е0 - диэлектрическая постоянная воздуха; е - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; q - заряд носителя заряда (электрона); n0, p0 - равновесные концентрации электронов и дырок в полупроводнике; мn, мp - подвижность электронов и дырок в полупроводнике.
При резком изменение типа проводимости (рис. 1.1.б) диффузионные токи велики, и для их компенсации необходимо существенное нарушение электронейтральности (1.1.1).
Изменение потенциала по глубине x полупроводника происходит по экспоненциальному закону: . Глубина проникновения электрического поля в полупроводник, Ld, называется дебаевской длиной и определяется из уравнения:
где - температурный потенциал.
При этом электрическая нейтральность существенно нарушается, если на дебаевской длине изменение результирующей концентрации примеси велико.
Таким образом, нейтральность нарушается при условии:
(1.1.2)
В состоянии термодинамического равновесия при отсутствии вырождения Отсутствие вырождения характеризует существенная концентрация носителей заряда собственной электропроводности. справедлив закон действующих масс:
(1.1.3)
при условии (1.1.3) правая часть (1.1.2) достигает минимума при , поэтому условие существования перехода (условие существенного нарушения нейтральности) имеет вид:
(1.1.4)
где дебаевская длина в собственном полупроводнике.
Переходы, в которых изменение концентрации примеси на границе слоев p- и n-типа могут считаться скачкообразными называются ступенчатыми.
В плавных переходах градиент концентрации примеси конечен, но удовлетворяет неравенству(1.1.4).
Практически ступенчатыми могут считаться p-n-переходы, в которых изменение концентрации примеси существенно меняется на отрезке меньшем Ld.
Такие переходы могут быть полученными путем сплавления, эпитаксии.
По отношению к концентрации основных носителей в слоях p- и n-типа переходы делятся на симметричные и несимметричные.
Симметричные переходы имеют одинаковую концентрацию основных носителей в слоях (pp ? nn). В несимметричных p-n-переходах имеет место различная концентрация основных носителей в слоях (pp >> nn или nn >> pp), различающаяся в 100 - 1000 раз [3].
- ВВЕДЕНИЕ
- Часть I. Теоретическая часть
- 1.1 Понятие о p-n-переходе
- 1.2 Структура p-n-перехода
- 1.3 Методы создания p-n-переходов
- 1.3.1 Точечные переходы
- 1.3.2 Сплавные переходы
- 1.3.3 Диффузионные переходы
- 1.3.4 Эпитаксиальные переходы
- 1.4 Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии
- 1.5 Токи через p-n-переход в равновесном состоянии
- 1.6 Методика расчета параметров p-n-перехода
- 1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n-перехода
- Часть III. Туннельный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах
- Заключение
- Ступенчатые и плавные р-n переходы
- 1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n-перехода
- 2.2.3 P-n переход в термодинамическом равновесии
- Свойства плоскостного ступенчатого несимметричного p-n-перехода
- Электронно-дырочный переход (p-n переход).
- 1.9.1. Общие сведения о n-p-переходе
- 3.9.2. Ступенчатые и плавные р-n переходы
- 3.9.2. Ступенчатые и плавные р-n переходы