Введення

Імпульсні підсилювачі мають вельми численні області застосування. Найширше застосування вони знайшли в радіотехнічних пристроях, в системах автоматики і обчислювальній техніці, в приладах експериментальної фізики і в техніці звязку.

Проектування багатокаскадних імпульсних підсилювачів характеризується тим, що при цьому можуть ухвалюватися неоднозначні рішення. У звязку з цим виникає завдання вибору оптимального варіанту . Загальним завданням проектування є відшукання найбільш простого економічного рішення.

Розвиток і вдосконалення напівпровідникових приладів, підвищення верхньої межі частотного діапазону, в якому вони можуть використовуватися, зробив можливим конструювання імпульсних підсилювачів з раніше недоступним параметрами.

Розвиток інтегральної схематики дозволяє усунути такі недоліки транзисторів, як великий розкид параметрів, компенсувати в інтегральній мікросхемі вплив температури навколишнього середовища, мінімізувати вплив ємкостей монтажу, зменшити габарити і вартість підсилювача в цілому.