Задание на курсовую работу
1) Вывести зависимость I(U) для p-n-перехода (ВАХ).
2) Определить время жизни электронов и дырок по известной ВАХ германиевого диода снятой при 300К.
Известно, что
фn = Афp.
Площадь р-п-перехода S, концентрация примесей в п- и р-областях Nd и Na. Считать что примеси полностью истощены, а собственная проводимость еще очень мала.
q=1,6•10-19- заряд электрона, Кл
k=1,38•10-23- постоянная Больцмана, Дж•с
ni2 =5,6•1038 - концентрация носителей заряда, м-6
µp =1,82- подвижность дырок, м2/ В•с
µn =0,38- подвижность электронов, м2/ В•с
Nd =8,0•1023 - концентрация донорных атомов примеси, м-3
Na=1,0•1024 - концентрация акцепторных атомов примеси, м-3
S=1 мм2
Рис. 1. - ВАХ кремниевого диода снятая при 300 К
3) Построить графики зависимости плотности тока насыщения от температуры.
4)Составить программу вычисления значений Jos для графика.
- Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода
- 1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- 4.2. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- Вольтамперная характеристика реального p-n перехода
- 1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода
- 10.1.Вольтамперная характеристика p-n перехода
- 1.3.4 Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода