3.1 Структурные свойства

Содержание

• ВВЕДЕНИЕ
• 1 Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники
• 1.1 Свойства и применение арсенида галлия
• 1.2 Пористая матрица арсенида галлия и её структурные свойства
• 2 Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия
• 2.1 Исследование электрофизических параметров исходного монокристаллического арсенида галлия
• 2.1.1 Определение кристаллографической ориентации подложек
• 2.1.2 Определение типа проводимости подложек методом термо-ЭДС
• 2.1.3 Определение концентрации основных носителей заряда
• 2.2 Формирование пористой матрицы в арсениде галлия
• 2.2.1 Электрохимия полупроводников
• 2.2.2 Технологические условия формирования пористого арсенида галлия
• 3.1 Структурные свойства
• 3.1.1 Оптическая микроскопия
• 3.1.2 Электронная микроскопия
• 1.3 Оптические свойства
• 3.3 Оптические свойства
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Похожие материалы

• 1.3.1. Актуальность использования низкоразмерного кремния в производстве изделий микро- и наноэлектроники
• 11.3.7. Диффузия в слоях арсенида галлия
• 15.3. Биполярные транзисторы на подложках арсенида галлия
• ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
• От микро- к наноэлектронике
• Области применения и получения арсенида галлия.
• 11.3.3 Производство фотоэлементов из арсенида галлия
• 11.3.3 Производство фотоэлементов из арсенида галлия