2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР

Содержание

• ВВЕДЕНИЕ
• 1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
• 1.1 Всплеск во времени дрейфовой скорости насыщения при воздействии электрического поля
• 1.2 Всплеск дрейфовой скорости в коротких структурах
• 1.3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах
• 1.4 Методы математического моделирования кинетических процессов
• 1.5 Полевой транзистор с барьером Шоттки
• 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР
• 2.1 Общая процедура моделирования
• 2.1.1 Модель зоны проводимости и механизмы рассеяния
• 2.1.2 Задание начальных условий
• 2.1.3 Движение частицы во внешнем поле и определение времени свободного пробега
• 2.1.4 Законы сохранения и правила отбора при рассеянии
• 2.1.5 Определение состояния частицы после рассеяния
• 2.1.6 Определение вероятности рассеяния и конечного состояния
• 2.2 Вычисление распределения потенциала и электрического поля
• 2.3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки
• ВЫВОДЫ

Похожие материалы

• Классификация полевых транзисторов
• Тема 11: Полевые транзисторы с затвором Шоттки
• Транзисторы с барьером Шоттки
• 5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
• Полевые транзисторы с затвором Шоттки.
• 1 Полевые транзисторы с затвором Шоттки
• 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
• 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
• Классификация полевых транзисторов
• 3П915-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 гГц