Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
2.1.2 Задание начальных условий
На первом этапе определяются начальные значения энергии, импульса и координаты частиц. Для этого используем центральную предельную теорему, согласно которой сумма независимых случайных величин, распределенных равномерно в интервале
(2.1)
при и имеет нормальное (максвеловское) распределение
(2.2)
При отклонение от максвеловского закона не превышает 10%, что является приемлемой точностью, поэтому импульс частицы представляется в виде:
, (2.3)
где (2.4)
Направление импульса в пространстве задается двумя углами: азимутальным () и полярным () и определяется с помощью генерации двух случайных чисел и :
; (2.5)
Составляющие импульса вычисляются по формулам:
;; (2.6)
Содержание
- ВВЕДЕНИЕ
- 1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- 1.1 Всплеск во времени дрейфовой скорости насыщения при воздействии электрического поля
- 1.2 Всплеск дрейфовой скорости в коротких структурах
- 1.3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах
- 1.4 Методы математического моделирования кинетических процессов
- 1.5 Полевой транзистор с барьером Шоттки
- 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР
- 2.1 Общая процедура моделирования
- 2.1.1 Модель зоны проводимости и механизмы рассеяния
- 2.1.2 Задание начальных условий
- 2.1.3 Движение частицы во внешнем поле и определение времени свободного пробега
- 2.1.4 Законы сохранения и правила отбора при рассеянии
- 2.1.5 Определение состояния частицы после рассеяния
- 2.1.6 Определение вероятности рассеяния и конечного состояния
- 2.2 Вычисление распределения потенциала и электрического поля
- 2.3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки
- ВЫВОДЫ
Похожие материалы
- Тема 11: Полевые транзисторы с затвором Шоттки
- Классификация полевых транзисторов
- 5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- Транзисторы с барьером Шоттки
- Полевые транзисторы с затвором Шоттки.
- 1 Полевые транзисторы с затвором Шоттки
- 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
- 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
- 3П915-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 гГц
- Классификация полевых транзисторов