Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки

отчет по практике

2.1.4 Законы сохранения и правила отбора при рассеянии

Правила отбора определяют возможные переходы частицы из одного состоянии в другое. Так как будут анализироваться только электронные полупроводники, то рассмотрим только правила касающиеся переходов внутри зоны проводимости.

Закон сохранения энергии является первым правилом отбора т. е. возможны только такие переходы, при которых энергия системы в конечном состоянии равна ее энергии в начальном состоянии. Другие переходы запрещены. Для упругого рассеяния на примесях, дефектах и др. при переходе из состояния в состояние

(2.14)

где , - энергия электрона в конечном и начальном состояниях. Если электрон взаимодействует с квазичастицами (например, с фононами), то

, (2.15)

где - энергия квазичастицы, знак + относится к поглощению, а знак “-” - к излучению.

Закон сохранения импульса является вторым правилом отбора и при рассеянии на фононах при переходе из состояния в состояние имеет вид:

, (2.16)

где -импульс фонона, - вектор обратной решетки. При рассеянии на дефектах обычно .

Дополнительным ограничением является то, что при двухчастичном взаимодействии число квазичастиц изменяется на одну.

Если не рассматривать процессы с перебросом (), то из (2.16) получаем:

(2.17)

Используя (2.15) и (2.17), с учетом (1.44) получаем:

, (2.18)

где - угол между и . Из (2.18) находим:

(2.19)

Из условия следует ограничение на величину передаваемого импульса:

(2.20)

Делись добром ;)