2.1.5 Определение состояния частицы после рассеяния
Для моделирования кинетических процессов необходимо выбрать механизмы, которые являются актуальными в условиях численного эксперимента. Для каждого механизма нужно определить - вероятность ухода частицы с энергией из состояния в состояние под действием данного механизма и при его реализации найти энергию и импульс частицы в состоянии .
Для розыгрыша механизма рассеяния используем метод Неймана. Для этого сравниваем равномерно распределенное в интервале (0…1) число с величинами сумм:
, (2.21)
где ,-число учитываемых механизмов рассеяния. При выполнении неравенства (2.21) для рассеяния выбирается механизм с номером . Далее для выбранного механизма рассеяния по известным значениям энергии и импульса до рассеяния находим значения энергии и импульса после рассеяния.
- ВВЕДЕНИЕ
- 1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- 1.1 Всплеск во времени дрейфовой скорости насыщения при воздействии электрического поля
- 1.2 Всплеск дрейфовой скорости в коротких структурах
- 1.3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах
- 1.4 Методы математического моделирования кинетических процессов
- 1.5 Полевой транзистор с барьером Шоттки
- 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР
- 2.1 Общая процедура моделирования
- 2.1.1 Модель зоны проводимости и механизмы рассеяния
- 2.1.2 Задание начальных условий
- 2.1.3 Движение частицы во внешнем поле и определение времени свободного пробега
- 2.1.4 Законы сохранения и правила отбора при рассеянии
- 2.1.5 Определение состояния частицы после рассеяния
- 2.1.6 Определение вероятности рассеяния и конечного состояния
- 2.2 Вычисление распределения потенциала и электрического поля
- 2.3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки
- ВЫВОДЫ
- Тема 11: Полевые транзисторы с затвором Шоттки
- Классификация полевых транзисторов
- 5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- Транзисторы с барьером Шоттки
- Полевые транзисторы с затвором Шоттки.
- 1 Полевые транзисторы с затвором Шоттки
- 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
- 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
- 3П915-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 гГц
- Классификация полевых транзисторов