2.1.6 Определение вероятности рассеяния и конечного состояния
Рассеяние при взаимодействии с деформационным потенциалом акустических фононов.
Для длинноволновых акустических фононов при закон дисперсии имеет вид
(2.22)
Вероятность рассеяния:
(2.23)
Пределы интегрирования определяем выражением:
, (2.24)
где
Из (2.24) получаем величины передаваемых импульсов :
; (2.25)
(2.26)
; (2.27)
Таким образом, электрон с импульсом при рассеянии на акустическом фононе может поглотить или испустить фонон с волновым вектором , изменяющимся в пределах
,
где и определены в (2.25) - (2.27). Вероятность передачи импульса есть подынтегральная функция в (2.23). Для определения волнового вектора фонона, участвующего в рассеянии, воспользуемся методом Неймана.
Рассеяние при взаимодействии с деформационным потенциалом оптических фононов.
Характерным свойством таких колебаний является независимость частоты колебаний от волнового вектора в широком интервале его значений вблизи :
(2.28)
Соответствующий таким колебаниям вероятность рассеяния:
, (2.29)
где (2.30)
Величины передаваемых импульсов :
; (2.31)
(2.32)
Полярное оптическое рассеяние.
В полярных материалах типа А3В5, А2 В6 колебания противоположно заряженных атомов, кроме потенциалов деформации, приводят к появлению дальнодействующих макроскопических электрических полей и вызывают полярное оптическое (ПО) рассеяние. Это рассеяние доминирует в центральной долине зоны Бриллюэна в диапазоне энергий .
Вероятность рассеяния
(2.33)
где и определены в (2.31), а определяется выражением (2.32)
Междолинное рассеяние.
Для вероятности медолинного рассеяния можно использовать формулу аналогичную (2.29) - (2.32)
,(2.34)
где , - разность энергий минимумов долин и . Множитель , равный числу однотипных долин без исходной
- ВВЕДЕНИЕ
- 1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- 1.1 Всплеск во времени дрейфовой скорости насыщения при воздействии электрического поля
- 1.2 Всплеск дрейфовой скорости в коротких структурах
- 1.3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах
- 1.4 Методы математического моделирования кинетических процессов
- 1.5 Полевой транзистор с барьером Шоттки
- 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР
- 2.1 Общая процедура моделирования
- 2.1.1 Модель зоны проводимости и механизмы рассеяния
- 2.1.2 Задание начальных условий
- 2.1.3 Движение частицы во внешнем поле и определение времени свободного пробега
- 2.1.4 Законы сохранения и правила отбора при рассеянии
- 2.1.5 Определение состояния частицы после рассеяния
- 2.1.6 Определение вероятности рассеяния и конечного состояния
- 2.2 Вычисление распределения потенциала и электрического поля
- 2.3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки
- ВЫВОДЫ
- Тема 11: Полевые транзисторы с затвором Шоттки
- Классификация полевых транзисторов
- 5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- Транзисторы с барьером Шоттки
- Полевые транзисторы с затвором Шоттки.
- 1 Полевые транзисторы с затвором Шоттки
- 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
- 5.1.3. Полевой транзистор с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
- 3П915-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 гГц
- Классификация полевых транзисторов