Разделы
Контакты
Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
отчет по практике
ВЫВОДЫ
Таким образом в результате выполнения работы получены следующие результаты:
Делись добром ;)
ВВЕДЕНИЕ
1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1.1 Всплеск во времени дрейфовой скорости насыщения при воздействии электрического поля
1.2 Всплеск дрейфовой скорости в коротких структурах
1.3 Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах
1.4 Методы математического моделирования кинетических процессов
1.5 Полевой транзистор с барьером Шоттки
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР
2.1 Общая процедура моделирования
2.1.1 Модель зоны проводимости и механизмы рассеяния
2.1.2 Задание начальных условий
2.1.3 Движение частицы во внешнем поле и определение времени свободного пробега
2.1.4 Законы сохранения и правила отбора при рассеянии
2.1.5 Определение состояния частицы после рассеяния
2.1.6 Определение вероятности рассеяния и конечного состояния
2.2 Вычисление распределения потенциала и электрического поля
2.3 Электронный транспорт в субмикронном транзисторе с барьером Шоттки
ВЫВОДЫ
^