1. АНАЛИЗ СХЕМЫ И РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ

Полупроводниковая интегральная схема изготовлена по изопланарной технологии, суть которой заключается в создании изолированных областей для отдельных элементов.

Планарная технология позволяет одновременно получать большое количество элементов в течение единого технологического процесса и характеризуется тем, что все внешние границы p-n- переходов выходят на одну плоскость, т.е. все выводы элементов находятся на одной стороне полупроводниковой пластины.

Для данной схемы интегрального усилителя требуются только две изолированные области: область для транзистора Т1 и область, в которой расположены транзисторы Т2, Т3 и все резистор, так как резисторы изолированы от транзисторов Т2 и Т3 p-n переходом.

Входной транзистор Т1 должен находиться в собственной изолированной области. Коллекторы транзисторов Т2 и Т3 соединены друг с другом и с положительным полюсом источника питания, поэтому они могут находиться в одной изолированной области. Все резисторы могут находиться в одной изолированной области, которая соединена с наибольшим положительным потенциалом. Так как поверхность кристалла защищена слоем двуокиси кремния, тонкопленочные алюминиевые соединения могут проходить по любому из диффузионных резисторов, не замыкаясь на них.

Согласно проведенному анализу разработан техпроцесс приведенный ниже.