3. Технологии создания структур КНИ
В настоящее время наиболее распространены КНИ-подложки, где в качестве изолятора выступает диоксид кремния. Наиболее популярными являются технологические маршруты изготовления структур КНИ, использующие: рекристаллизацию слоя кремния; формирование изолирующего слоя с помощью прокисления пористого кремния; имплантацию ионов водорода; молекулярно-лучевую эпитаксию на пористом кремнии; латеральное эпитаксиальное заращивание; имплантацию ионов кислорода (азота) в кремниевую подложку; сращивание (связывание) кремниевых пластин с последующим формированием изолированного слоя кремния. Существует множество других методов изготовления структур КНИ, которые, не получив широкого распостранения, тем не менее являются интересными и используются для разработки специализированных схем, микромеханических устройств и датчиков.
- Введение
- 1. Преимущества технологии КНИ
- 2. Конструктивное исполнение структур КНИ
- 3. Технологии создания структур КНИ
- 3.1 Ионное внедрение
- 3.2 Сращивание пластин
- 3.3 Управляемый скол
- 3.4 Эпитаксия
- 4. Технологический маршрут и операции получения структур КНИ методом управляемого скалывания
- 5. Использование технологии КНИ в технике
- 6. Перспективы
- Список литературы
- Перспективы применения структур кремний – на - изоляторе в микро- , наноэлектронике и микросистемной технике
- Полевой датчик Холла на основе структур «кремний – на - изоляторе»
- Кремний на изоляторе (silicon-on-insulator, soi)
- Кремний на изоляторе (silicon-on-insulator, soi)
- Перспективы применения структур "кремний на изоляторе" (кни)
- Лекция 6 Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе»
- 2. Технология soi («кремний-на-изоляторе»)
- "Кремний-на-изоляторе"