Статические характеристики транзистора показывают, что связь между токами и напряжениями выражается нелинейной зависимостью. Таким образом, транзистор является, вообще говоря, нелинейным элементом...
Общего подхода к проектированию биполярных интегральных микросхем нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями в зависимости от требований и исходных данных ИМС...
Протокол IP надає можливість безпосередньо вказати в складі пакета маршрут між двома компютерами і позбавити проміжні маршрутизатори права приймати рішення про шлях проходження пакета. Маршрут у складі IP-пакета, подібно ІCMP-перенапрямленю...
Рассмотрим усилитель, в котором транзистор включен по схеме с общим эмиттером, а для стабилизации рабочей точки используется отрицательная обратная связь по току (Рисунок 3.1). Схема с общим эмиттером обеспечивает усиление как по напряжению...
1. Резка исходного кристалла на пластины. 2. Механическая обработка пластин:шлифовка, полировка. 3. Химическая обработка пластины. 4. Окисление поверхности кремния. 5. Вскрытие окон под диффузию скрытого коллекторного слоя. 6...
Триггеры представляют собой простейшие последовательные устройства, общим свойством которых является способность длительно оставаться в одном из двух возможных устойчивых состояний, которые распознаются по значению их выходных сигналов...
Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя (или более) выводами...
Транзистором называют полупроводниковый прибор, в котором изменение входного электрического сигнала приводит к изменению сопротивления выходной цепи транзистора...
Усилители электрических сигналов [1] чаще всего выполняют на биполярных или полевых транзисторах, а также на электронных лампах, туннельных диодах и других приборах...
Наибольший практический интерес представляет изопланарная технология изготовления МДП-структур, особенностью которой является изоляция МДП-структур толстым слоем оксида кремния...
Особенностью изопланарного процесса изготовления полупроводниковых ИМС является использование слоев SiO2 для боковой изоляции структур...
1. Подготовка поверхности опорных и приборных пластин перед их стыковкой и контроль состояния стыкуемых поверхностей. Реальные поверхности кремниевых пластин не бывают атомарно-гладкими и атомарно-чистыми...
Для рассмотрения принципа работы биполярного транзистора воспользуемся схемой, приведенной на рис.2.1 Из рисунка видно, что транзистор представляет собой по существу два полупроводниковых диода, имеющих одну общую область - базу...
Технологический маршрут изготовления устройства состоит из следующих операций: 1) вырубка платы; 2) очистка поверхности; 3) нанесение рисунка; 4) химическое травление; 5) удаление защитного слоя; 6) сверление отверстий; 7) покрытие сплавом...
...