Похожие главы из других работ:
3D-MID: области применения и технологии производства
Основания могут изготавливаться по технологии одно- или двухкомпонентного литья. В технологии двухкомпонентного литья используется сочетание двух термопластов...
Анализ и оптимизация цифровых сетей интегрального обслуживания
Очень часто, при построении новых сетей, возникает вопрос, а какую топологию взять в основу. Для того, чтобы ответить на этот вопрос надо сравнивать разные технологии.
По заданию курсового проекта задано...
Исследование систем управления манипулятором MR-999Е
По существу зрение является трехмерной проблемой, поэтому в основе разработки многофункциональных систем технического зрения, пригодных для работы в различных средах, лежит процесс обработки информации о трехмерных сценах...
Применение метода вейвлет-кодирования для сжатия и реконструкции физиологической информации, передаваемой по каналу радиотелеметрии
...
Применение нанокластеров в оптоэлектронике. Фотоприемники и солнечные элементы
Интенсивность развития в последние годы наноэлектроники, позволила создать приборы, размеры элементов которых составляют несколько единиц нанометров...
Распространение волн типа квази-т в некоторых типах многопроводных микрополосковых линий
...
Структура твердотельных интегральных микросхем
На рис. 1 представлен фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой, включающий биполярный транзистор и резистор. Для одновременного формирования транзистора и резистора необходимо...
Структурная надежность радиотехнических систем
Одними из основных характеристик сетей связи, независимо от систем передачи информации, являются: структура, топология и структурная надежность...
Структурный синтез перестраиваемых arc-схем
Аналогично поиску структур ARC-cxeм с фиксированными параметрами построение интеграторных схем базируется на соотношениях (2) - (4) и сводится к выбору компонент матриц Вss, Вks, Bsk, Вkk, векторов Ts, Tk, As, Ak. В п. 1 отмечалось, что матрицы Bks, Bsk...
Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
...
Технология структур кремния на изоляторе
Подложка, выполненная по технологии кремний на изоляторе, представляет собой трёхслойный пакет, который состоит из монолитной кремниевой пластины, диэлектрика и размещённого на нём тонкого поверхностного слоя кремния...
Технология структур кремния на изоляторе
В настоящее время наиболее распространены КНИ-подложки, где в качестве изолятора выступает диоксид кремния. Наиболее популярными являются технологические маршруты изготовления структур КНИ...
Типовые процессы изготовления интегральных микросхем
...
Эволюция подходов к синтезу и структурной оптимизации электронных схем
Развитие систем автоматизированного проектирования на современном этапе тесно связано с понятием генетического алгоритма как средства поиска схемотехнических решений.
Впервые такой подход был предложен Е.Л...
Эволюция подходов к синтезу и структурной оптимизации электронных схем
Развитие рассмотренных выше методов синтеза структур регулярно проходило апробацию в процессе создания узкоспециализированных пакетов прикладных программ (подсистем) автоматизированного проектирования.
Первая подсистема [2...