3. Организация процесса производства разработанного УЧС

Для производства разработанного УЧС предприятие должно решить ряд задач:

приобретение дорогих систем автоматизированного проектирования (САПР) для моделирования подобного типа устройств ;

подготовка высококвалифицированных специалистов, обладающих достаточными теоретическими знаниями и навыками работы САПР СВЧ;

освоить технологию на GaAs, для производства собственных коммутаторов;

приобретение сложнейшей и дорогой технологической линии;

обеспечение полной загрузки технологической линии.

Одно из решений этих проблем является организация производства по типу «Контрактного производства» (Foundry).[29]

Предприятие или группа предприятий, которым необходимо то или иное устройство, приобретают специализированные САПР, вычислительную технику, метрологическое оборудование и готовят специалистов, обладающих достаточными теоретическими знаниями и навыками работы САПР, т.е. организуют Дизайн-центр.

Предприятие, у которого есть возможность приобретения и обслуживания технологической линии для изготовления устройств, так называемая фабрика, предоставляет Дизайн-кит, который представляет собой инструкцию по проектирования устройств. Эта инструкция является своеобразным набором технологических норм и правил, по которым и будет происходить изготовление устройства.

Используя САПР и руководствуясь требованиями дизайн-кита, сотрудники дизайн-центра разрабатывают необходимую для изготовления УЧС СВЧ конструкторскую документацию. Фабрика, в соответствии с разработанной конструкторской документацией и с использованием стандартных технологических процессов, изготавливает УЧС СВЧ и передаёт их в дизайн-центр.

При разработке и производстве устройств СВЧ по принципу foundry обязанности сторон распределяются следующим образом:

компетенция дизайн-центра: разработка схемы электрической принципиальной устройств, разработка топологий и конструкции устройств в соответствии с Дизайн-Кит, обеспечение требуемых электрических параметров устройств, разделение диска со сформированными структурами интегральных схем на отдельные чипы МИС, измерение электрических параметров устройств и проведение испытаний;