Исследование вольт-амперной характеристики транзисторных структур распределенным p+-n переходом и активными контактами различных типов
Обозначения и сокращения
АК
активный контакт
ПОС
положительной обратной связи
БИСПИН
бисмещенный переход с инжекционной неустойчивостью
ВАХ
вольт-амперная характеристика
ТСРП
Транзисторные структуры, имеющие распределенный по всей площади кристалла эмиттерный p+-n - переход
МТОП
металл - туннельно - прозрачный - окисел - полупроводник
СРП
структура с распределенным p+-n-переходом
НТ
неустойчивость тока
ОС
отрицательное сопротивление
ПС
поверхностных состояний
ПБНТ
поверхностно-барьерный неустойчивый ток
ПОСН
Положительно обратноя связью по напряжению
ОПЗ
область пространственного заряда
ЛК
локальный транзистор
ПДС
полное дифференциальное сопротивление
Содержание
Похожие материалы
- Вольт-амперная характеристика p–n-перехода
- Вольт-амперная характеристика p-n-перехода.
- Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода.
- 2. Исследование вольт-амперных характеристик стабилитрона
- 12. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- Вольт- амперная характеристика p-n-перехода.
- 2.8. Вольт–амперная характеристика p–n перехода
- Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (вах)