logo search
Методичка

4.5.1. Полупроводниковые соединения АIVВIV

Единственным представителем группы соединений АIVВIV является карбид кремния SiС. Это соединение имеет две полиморфные модификации:

β-SiС с кубической решеткой типа алмаза (T < 2000°С);

α-SiС с гексагональной решеткой (T > 2000°С).

Основные свойства карбида кремния:

преимущественно ковалентный тип связи;

высокая твердость, химическая стойкость и нагревостойкость;

нелинейная вольтамперная характеристика;

способность к люминесценции в видимой части спектра;

большая ширина запрещенной зоны, низкая подвижность носителей заряда (табл. 16), примесное ρ = 0,03…0,15 Ом см.

 

 

Таблица 16

Cвойства карбида кремния

 

 

 

 

 

 

 

Модификация

β-SiС

α-SiС

 

 

 

 

 

 

 

Период решетки, нм

0,436

0,308

 

 

 

 

 

 

 

Ширина запрещенной зоны Э, эВ

2,39

3,02

 

 

 

 

 

 

 

Подвижность электронов μn, м2/В·с

0,1

0,033

 

 

Подвижность дырок μp, м2/В·с

0,006

0,006

 

 

Температура возгонки, °С

>2600

2700