Лабораторная работа № 2 «Исследование полупроводниковых диодов»

Цель работы:

1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода.

2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) для полупроводникового диода.

3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.

4. Анализ сопротивления диода (прямое и обратное смещение) на переменном и постоянном токе.

Эксперимент 1. Измерение напряжения и вычисление тока через диод

Схема проведения опыта

Расчетные формулы:

Iпр = Iо [еU/(mjт)-1]

Iоб = Io[mjт/(eU) - 1]

Эксперимент 2. Измерение тока.

Схема проведения опыта

Эксперимент 3. Измерение статического сопротивления диода

Эксперимент 4. Снятие вольтамперной характеристики диода.

Схема проведения опыта

а). Прямая ветвь ВАХ.

Е,В	Unp, мВ	Iпр мА
5
4
3
2
1
0.5
0

б). Обратная ветвь ВАХ.

Е,В	Uоб. мВ	Iоб, мА
0
5
10
15

Эксперимент 5. Получение ВАХ на экране осциллографа

Графики

Контрольные вопросы

Лабораторная работа № 3

«Снятие и исследование характеристик тиристора».

Цель работы:

1. Изучение принципа работы тиристоров

2. Ознакомление с основными параметрами и характеристиками тиристоров

3. Экспериментальное получение характеристик тиристора.

Схема проведения опыта

Вольтамперная характеристика триодного тиристора

Таблица 1

№ опыта	= 5 mA		= 10 mA		= 15 mA
1	0		0		0
2	2		2		2
3	5		5		5
4	10		10		10
5	15		15		15
6	20		20		20
7	25		25		25
8	30		30		30

Пусковая характеристика тиристора

Таблица 2

	0	5	10	15	20	25	30

Графики

Контрольные вопросы