Порядок выполнения работы.
Собрать схемы включения транзистора с ОЭ, ОБ и ОК (рис. 3.1 – 3.3).
Е1, Е2 – источники постоянного напряжения DC_POWER;
VT – виртуальный транзистор BJT N-P-N VIRTUAL;
Заземление – элемент (GROUND).
Рисунок 3.1 - Схема включения транзистора с общим эмиттером
Рисунок 3.2 - Схема включения транзистора с общей базой
Рисунок 3.3 - Схема включения транзистора с общим коллектором
Ознакомиться с параметрами модели виртуального транзистора и задать требуемые значения. Для этого открыть окно свойств компонента (нажать правую кнопку мыши на изображении компонента, выбрать «Properties») и выбрать «Edit Model». Теперь можно изменять параметры модели транзистора двойным щелчком левой кнопки мыши на значении интересующего параметра, подтверждая новое значение нажатием «Enter». После редактирования параметров необходимо сохранить изменения модели выбором «Change Part Model», «OK» (см. рис. 3.4).
Рисунок 3.4
Задать параметры транзистора в соответствии с номером рабочего места Х:
IS = (0,0001*Х) (nА) – ток насыщения;
BF = (10*X+40) – коэффициент передачи тока базы β.
Определить сопротивление нагрузки RН по заданному току КЗ:
Iкз=(10+5·Х)мА [IК=ЕК/ RН ]. Ек принять 10 В.
Подобрать значение сопротивления потенциометра таким образом, чтобы установить режим покоя транзистора: рабочая точка находится примерно посредине линейного участка ВАХ: Uн≈Ек/2.
Напряжения и токи измеряем в режиме симуляции, сопротивление потенциометра Rб, Rэ изменяем вручную (A, Shift A, increment 1%).
Подключить мультиметры (в режиме AC) для определения входных и выходных токов и напряжений схемы и произвести измерения в схемах:
ОЭ - Iб, Iк, Uбэ, Uкэ; ОБ - Iэ, Iк, Uэб, Uкб; ОК - Iб, Iэ, Uбэ, Uкэ.
Сохранить схему и показания приборов.
Рассчитать коэффициенты усиления схем и сравнить с теоретическими:
; ;
Содержание отчета.
Схемы исследований.
Результаты измерений.
Расчеты параметров схем.
Анализ полученных результатов и выводы по работе.
Лабораторная работа №4а
- Лабораторная работа №1а «Знакомство с пакетом моделирования электронных схем Multisim 8.0»
- «Исследование биполярного и полевого транзисторов в виртуальной лаборатории»
- «Исследование схем включения биполярного транзистора»
- Содержание работы.
- Порядок выполнения работы.
- «Исследование тиристоров в виртуальной лаборатории»
- «Исследование транзисторного каскада с оэ»
- «Исследование усилителя постоянного тока в виртуальной лаборатории»
- «Исследование операционных усилителей в виртуальной лаборатории»
- «Исследование схем генераторов в виртуальной лаборатории»
- «Исследование ключевых схем»
- Содержание работы.
- Порядок выполнения работы.
- «Исследование работы счетчиков на триггерах в виртуальной лаборатории»