Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
2 Электрические параметры полупроводникового прибора
1) Диод Д202:
- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 400 мА не более 1В;
- Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более500 мкА;
- Емкость p-n-перехода 79 пФ.
2) Стабилитрон Д808:
- Напряжение стабилизации при Iст = 5 мА:
при Т = +25°С…………………………………………….……..7 - 8,5 В;
при Т = -60°С……………………………………………………6 - 8,5 В;
при Т = +125°С………………………………………………….7 - 9,5 В;
- Температурный коэффициент напряжения стабилизации, не более:
в диапазоне температур +30...+125°С………………….……0,07%/°С;
в диапазоне температур -60…+70°С……………………………1%/°С;
- Временная нестабильность напряжения стабилизации
при Iст = 5 мА…......................................................................................±1%;
- Уход напряжения стабилизации через 5 с после включения, не более:
за первые 5 мин…………………………………………………....170 мВ;
за последующие 10 мин…………………………………………….20 мВ;
- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 50 мА, Т = -60 и +25°С,
не более……………………………………………………………..1 В;
- Постоянный обратный ток при Uобр = 1 В, не более………….0,1 мкА;
- Дифференциальное сопротивление, не более:
при Iст = 1 мА………………………………………………………12 Ом;
при Iст = 5 мА и Т = +25°С………………………………………….6 Ом;
при Iст = 5 мА и Т = + 125°С………………………………………15 Ом;
- Емкость перехода…………………………………………………400 пФ;
- Тепловое сопротивление……………………………………0,36 °С/мВт;
- Обратное сопротивление при Uобр = 1 В……………………...1 МОм;
- Гарантийная наработка не менее………………………………...5000 ч;
- Срок хранения…………………………………………………….8,5 лет.
3) Транзистор ГТ108:
- Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой при Uкб=5 В, Iэ= 1 мА не менее:
ГТ108А……………………………………………...……………..0,5 МГц;
ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г …………………………...……………...1МГц;
- Напряжение насыщения коллектор эмиттер при Iк=50мА
Iб=5 мА не более……………………………………………………......3 В;
Статистический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5В, Iэ=1 мА:
при Т=293К:
ГТ108А……………………………………………………….20 - 50;
ГТ108Б………………………………………………………..35 - 80;
ГТ108В…………………………………………………....…...60 -130;
ГТ108Г………………………………………………………110 - 250;
при Т=328К:
ГТ108А………………………………………………………..20 - 100;
ГТ108Б…………………………………………………………...35 - 160;
ГТ108В……………………………………………………....…...60 - 260;
ГТ108Г…………………………………………………………….110 - 500;
при Т=243К:
ГТ108А…………………………………………………………….15 - 50;
ГТ108Б……………………………………………………………..20 - 80;
ГТ108В……………………………………………………....…...40 - 130;
ГТ108Г……………………………………………………………...70 - 250;
- Обратный ток коллектора при Uкб=5В не более:
При Т=293К……………………………………………………….10 мкА;
При Т=328К………………………………………………………250мкА;
- Обратный ток эмиттера при Uкб=5 В не более…………………15 мкА;
- Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=5 В, f=1 МГц не более…..50 пФ;
- Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, Iэ=1 мА,
f=465 кГц не более…………………………………………………..…5 нс.