Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

контрольная работа

2 Электрические параметры полупроводникового прибора

1) Диод Д202:

- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 400 мА не более 1В;

- Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более500 мкА;

- Емкость p-n-перехода 79 пФ.

2) Стабилитрон Д808:

- Напряжение стабилизации при Iст = 5 мА:

при Т = +25°С…………………………………………….……..7 - 8,5 В;

при Т = -60°С……………………………………………………6 - 8,5 В;

при Т = +125°С………………………………………………….7 - 9,5 В;

- Температурный коэффициент напряжения стабилизации, не более:

в диапазоне температур +30...+125°С………………….……0,07%/°С;

в диапазоне температур -60…+70°С……………………………1%/°С;

- Временная нестабильность напряжения стабилизации

при Iст = 5 мА…......................................................................................±1%;

- Уход напряжения стабилизации через 5 с после включения, не более:

за первые 5 мин…………………………………………………....170 мВ;

за последующие 10 мин…………………………………………….20 мВ;

- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 50 мА, Т = -60 и +25°С,

не более……………………………………………………………..1 В;

- Постоянный обратный ток при Uобр = 1 В, не более………….0,1 мкА;

- Дифференциальное сопротивление, не более:

при Iст = 1 мА………………………………………………………12 Ом;

при Iст = 5 мА и Т = +25°С………………………………………….6 Ом;

при Iст = 5 мА и Т = + 125°С………………………………………15 Ом;

- Емкость перехода…………………………………………………400 пФ;

- Тепловое сопротивление……………………………………0,36 °С/мВт;

- Обратное сопротивление при Uобр = 1 В……………………...1 МОм;

- Гарантийная наработка не менее………………………………...5000 ч;

- Срок хранения…………………………………………………….8,5 лет.

3) Транзистор ГТ108:

- Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой при Uкб=5 В, Iэ= 1 мА не менее:

ГТ108А……………………………………………...……………..0,5 МГц;

ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г …………………………...……………...1МГц;

- Напряжение насыщения коллектор эмиттер при Iк=50мА

Iб=5 мА не более……………………………………………………......3 В;

Статистический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5В, Iэ=1 мА:

при Т=293К:

ГТ108А……………………………………………………….20 - 50;

ГТ108Б………………………………………………………..35 - 80;

ГТ108В…………………………………………………....…...60 -130;

ГТ108Г………………………………………………………110 - 250;

при Т=328К:

ГТ108А………………………………………………………..20 - 100;

ГТ108Б…………………………………………………………...35 - 160;

ГТ108В……………………………………………………....…...60 - 260;

ГТ108Г…………………………………………………………….110 - 500;

при Т=243К:

ГТ108А…………………………………………………………….15 - 50;

ГТ108Б……………………………………………………………..20 - 80;

ГТ108В……………………………………………………....…...40 - 130;

ГТ108Г……………………………………………………………...70 - 250;

- Обратный ток коллектора при Uкб=5В не более:

При Т=293К……………………………………………………….10 мкА;

При Т=328К………………………………………………………250мкА;

- Обратный ток эмиттера при Uкб=5 В не более…………………15 мкА;

- Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=5 В, f=1 МГц не более…..50 пФ;

- Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, Iэ=1 мА,

f=465 кГц не более…………………………………………………..…5 нс.

Делись добром ;)