Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления

контрольная работа

Заключение

В ходе выполнении данного домашнего задания были изучены теоретические сведения по вопросу выращивания пленок методом распыления в магнетронной системе.

В ходе выполнения практической части работы решалась задача оптимизации процесса напыления металла с помощью программы MathCAD. Цель оптимизации состояла в достижении заданных характеристик напыляемой пленки. Заданные характеристики и найденные оптимальные параметры техпроцесса получения пленки сведены в таблицу 3.

Таблица 3

Заданное значение характеристики (достигнутое значение характеристики)

Параметр достижения заданной характеристики

Неравномерность

3 % (2.732 %)

Расстояние от мишени до пластины

5.2 см

Толщина напыляемой пленки

0.3 мкм (0.274 мкм)

Время напыления

2000 с

Даже при незначительном нарушении выполнения техпроцесса получения пленки (при изменении времени напыления на единицы секунд), значение толщины и неравномерности пленки останутся в заданных пределах.

Литература

Андреев В.В., Столяров А.А. Моделирование технологических процессов микроэлектроники. Методич. пособие. - КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006. - 44с.

Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие. -2-е изд., перераб. и доп. -М.: Высш. шк., 1979.

Никоненко В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г.Д. Кузнецова. - М: МИСиС, 2001. - 48с.

Делись добром ;)