Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления
Заключение
В ходе выполнении данного домашнего задания были изучены теоретические сведения по вопросу выращивания пленок методом распыления в магнетронной системе.
В ходе выполнения практической части работы решалась задача оптимизации процесса напыления металла с помощью программы MathCAD. Цель оптимизации состояла в достижении заданных характеристик напыляемой пленки. Заданные характеристики и найденные оптимальные параметры техпроцесса получения пленки сведены в таблицу 3.
Таблица 3
Заданное значение характеристики (достигнутое значение характеристики) |
Параметр достижения заданной характеристики |
|||
Неравномерность |
3 % (2.732 %) |
Расстояние от мишени до пластины |
5.2 см |
|
Толщина напыляемой пленки |
0.3 мкм (0.274 мкм) |
Время напыления |
2000 с |
Даже при незначительном нарушении выполнения техпроцесса получения пленки (при изменении времени напыления на единицы секунд), значение толщины и неравномерности пленки останутся в заданных пределах.
Литература
Андреев В.В., Столяров А.А. Моделирование технологических процессов микроэлектроники. Методич. пособие. - КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006. - 44с.
Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие. -2-е изд., перераб. и доп. -М.: Высш. шк., 1979.
Никоненко В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г.Д. Кузнецова. - М: МИСиС, 2001. - 48с.