Оценка конструкторских и технологических параметров системы многослойных металлических межсоединений при разработке БИС

курсовая работа

4. Технологическая часть

Технологические этапы производства самих микропроцессоров, формирование микросхем в простейшем случае включает следующие обязательные этапы производства:

- выращивание кремниевых заготовок и получение из них пластин;

- шлифование кремниевых пластин;

- нанесение защитной пленки диэлектрика (SiO2);

- нанесение фоторезиста;

- литографический процесс;

- травление;

- диффузия;

- металлизация.

Все перечисленные этапы используются для того, чтобы создать на кремниевой подложке сложную структуру полупроводниковых планарных транзисторов (CMOS-транзисторов) и связать их должным образом между собой. Количество таких транзисторов на одной микросхеме уже сегодня составляет миллиард штук, а через несколько лет их число достигнет уже нескольких миллиардов штук.

После тщательной полировки поверхности кремниевой подложки ее покрывают тончайшим слоем оксидной пленки (SiO2), выполняющей функцию диэлектрика и защитной пленки при дальнейшей обработке кристалла кремния. Диоксид кремния получают путем окисления непосредственно чистым кислородом при высоких температуре и давлении. Пластины помещают в камеру, где при высоких температуре и давлении происходит диффузия кислорода в поверхностные слои пластины, приводящая к окислению кремния и к образованию поверхностной пленки диоксида кремния. Для того чтобы пленка диоксида кремния имела точно заданную толщину и не содержала дефектов, необходимо поддерживать строго постоянную температуру во всех точках пластины в процессе окисления. После того как кремниевая подложка покроется защитной пленкой диоксида кремния, необходимо удалить эту пленку с тех мест, которые будут подвергаться дальнейшей обработке. Удаление пленки осуществляется посредством травления, а для того, чтобы в результате травления оксидная пленка удалялась избирательно, то есть только в нужных местах, на поверхность пленки наносят слой фоторезиста. Фоторезист представляет собой особый состав, который изменяет свои свойства под воздействием ультрафиолетового излучения. Облученные области становятся растворимыми в кислотной среде, тогда как необлученные остаются устойчивыми к воздействию агрессивн

Делись добром ;)