Полупроводниковые материалы
3. Методы контроля параметров полупроводниковых материалов: проводимости, концентрации, подвижности, ширины запрещенной зоны
Содержание
- Введение
- 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике
- 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике
- 1.3 Температурная зависимость подвижности носителей заряда
- 2. Полупроводниковые материалы Si и Ge
- 2.1 Основные сведения о кристаллическом строении
- 2.2 Получение и выращивание монокристаллов
- 2.3 Метод Чохральского и метод зонной плавки
- 2.4 Основные физико-химические и электрофизические свойства
- 2.5 Осаждение эпитаксиальных слоев кремния
- 2.6 Применение в полупроводниковых приборах и ИС
- 3. Методы контроля параметров полупроводниковых материалов: проводимости, концентрации, подвижности, ширины запрещенной зоны
- 3.1 Проводимость полупроводников
- 3.1.1 Преимущества и недостатки методов исследования проводимости полупроводников
- 3.2 Определение подвижности
- 3.2.1 Факторы, определяющие подвижность
- 3.3 Концентрация собственных носителей
- Вывод
Похожие материалы