Преобразователь двоичного кода
1 Расчет топологии логического элемента
Для построения логического элемента 2И выберем транзистор малой мощности транзистор КТ315А со следующими характеристиками и параметрами:
Рисунок 1 - Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и входная характеристика транзистора КТ315А
Таблица 1 - Электрические параметры транзистора КТ315А
Iкбо, мкА |
Iкmax, мкА |
Ск, пФ |
к, пс |
Uкэ.н, В |
Uбэ.н, В |
Uбэ.пор, В |
Uбэ, В |
Uбк.пор, В |
Uбк, В |
||
0,5 |
30 |
7 |
70 |
0,3 |
0,5 |
0,34 |
0,4 |
0,45 |
0,5 |
40 |
Схема рассчитываемого элемента 2И приведена на рисунке:
Определим коэффициент разветвления логического элемента по выходу:
где Iвых0=8мА, Iвх0=0,5мА.
Рассчитаем сопротивление резистора R1 при подаче на вход логического элемента уровня логического нуля:
где - напряжение питания логического,
- напряжение насыщения база-эмиттер транзистора VT1,
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер транзистора VT0 на входе логического элемента.
Рассчитаем ток базы насыщения транзистора VT2 при подаче на вход X1 иX2 логического элемента уровня логической единицы:
где - напряжение насыщения база-эмитер транзистора VT3.
Определим ток коллектора насыщения транзистора VT2:
где - коэффициент насыщения транзистора VT2
Определим величину сопротивления резистора R2:
Приводим сопротивление резистора R2 к ряду Е24:
Примем ток через резистор R5равным (0.10.05)*Iвых0, тогда
Ом
Приводим сопротивление резистора R5 к ряду Е24:
Определим ток базы насыщения транзистора VT4:
Сопротивление резистора R4 рассчитаем исходя из условия:
Ом
Рассчитаем ток коллектора насыщенияVT3:
Рассчитаем ток базы насыщенияVT3:
Рассчитаем сопротивление резистора R3, предварительно найдя ток протекающий через него :
А
Сопротивление резистора R3 найдем из условия:
Ом
Приводим сопротивление резистора R3 к ряду Е24: R3=6200 Ом