Проектирование и расчет полупроводникового преобразователя электрической энергии
6.5 Выходной формирователь
Помимо усиления импульсов управления, ВФ осуществляет потенциальную развязку силовой части преобразователя от системы управления.
Рисунок 6.5 - Выходной формирователь
Определяем UОТП ХХ min при снижении на 15% напряжения UП:
где UGT - отпирающее напряжение управления, UGT = 5В.
Минимальное значение тока IОТП КЗ min при максимальном внутреннем сопротивлении, увеличение которого на 5% вызвано разбросом параметров и сопротивлений элементов, определим по формуле:
где IGT - отпирающий ток управления, IGT = 0,4А.
Определяем номинальные значения:
Номинальное значение внутреннего сопротивления источника:
Максимальное значение UОТП ХХ max с учетом возможного повышения напряжения на 10%:
Максимальное значение IОТПКЗmax с учетом возможности уменьшения внутреннего сопротивления источника:
По UОТП ХХ max и IОТПКЗmax выбираем импульсный трансформатор МИТ - 4 и транзистор КТ315E с [6].
Номинальное напряжение источника питания:
Минимальное внутреннее сопротивление:
Максимальная мощность в управляющем электроде на максимальной ВАХ (максимум мощности имеет место при (RG=RВНmin):
По справочнику принимаем PGM=5,6 Вт при tимп отп=5мс и скважности 4мс.
Ток базы транзистора VT1:
Выбираем чип - резистор ERJB3BF3R9V[6].
Диод VD13 предназначен для снятия перенапряжений на индуктивности трансформатора при выключении VT13.Выбираем диод 2Д520А (UОБР=30В) [2].Диоды VD19, VD25 блокируют протекание тока через вторичную обмотку трансформатора TV4 от силовой цепи. Выбираем диоды 2Д530А (UОБР=40В, IПР=5А) [2].
Цепочка R79-C16 служит для повышения помехоустойчивости. Выбираем резистор RC1206FR-0791KL [6] и конденсатор К10-17В-Н90-0,22 мкФ [2].
Резистор R73 служит для более быстрого сброса энергии индуктивности TV4. Выбираем CRCW0805100KFHEAP[2].