Проектирование интегрального параметрического стабилизатора напряжения

курсовая работа

2.1.2 КИД-технология

Данная технология основана на использовании тонких эпитаксиальных слоев и коллекторной изолирующей диффузии (вместо разделительной в стандартном процессе).

Рис. 2.2. Последовательность формирования полупроводниковой ИМС по КИД-технологии

Сущность технологии изготовления полупроводниковых ИМС с использованием изолирующей коллекторной диффузии заключается в том, что коллекторные контактные области n+-типа формируют на всю глубину эпитаксиального слоя. Процесс осуществляется в такой последовательности. Сначала в высокоомную пластину р-типа проводят локальную диффузию для формирования скрытых слоев n+-типа, после чего выращивают тонкий (1-2 мкм) эпитаксиальный слой р-типа (рис. 2.2, а). Затем проводят локальную диффузию примеси n+-типа (коллекторных контактных областей) сквозь эпитаксиальный слой р-типа до смыкания со скрытым слоем. При этом образуются локальные эпитаксиальные слои р-типа, изолированные от подложки коллекторным слоем n+ -типа (рис. 2.2,б). Базовые области р-типа формируют диффузией без применения фотошаблонов, что улучшает качество транзисторов. В дальнейшем формируют эмиттерные области, металлизированные соединения и защитный слой. В итоге получают транзисторные структуры (рис. 2.3, в), изоляция которых осуществляется с помощью обратносмещенных р-n-переходов, хотя фактической изолирующей диффузии не проводится.

По сравнению со стандартной технологией КИД-технология проще. Технологический цикл изготовления кристаллов сокращается на 1-2 фотолитографические операции, что повышает процент выхода годных ИМС и снижает их стоимость. КИД-технология благодаря простоте изготовления ИМС, большей в 1,5-2 раза плотности размещения элементов по сравнению со стандартным процессом, схемной универсальности и высокому быстродействию изготовляемых ИМС получила самое широкое распространение. С ее помощью осуществляют производство большинства типов ИМС.

Делись добром ;)