2.3.3 Полипланарная технология

В основу полипланарной технологии положено вертикальное анизотропное травление кремния с ориентацией (110), что позволяет формировать в эпитаксиальном слое V-образные разделительные области для межэлементной изоляции. Различают две разновидности этой технологии: V-ATE-процесс и VIP-процесс.

Для формирования кристалла ИМС по V-ATE-процессу используют двухслойные кремниевые пластины р-типа с эпитаксиальным n-слоем и скрытыми n⁺ -слоями, в которых локальной диффузией акцепторной примеси создают базовые области (рис. 2.11, а). Затем в условиях маскирования оксидом кремния производят травление V-образных канавок на всю глубину эпитаксиального слоя (рис. 2.11, б), после чего поверхность V-образных канавок покрывают тройным диэлектрическим слоем SiO₂ - Si₃N₄ - SiO₂ (рис. 2.11, в). После этого формируют локальные высоколегированные эмиттерные и приконтактные коллекторные области n⁺ -типа. Завершают процесс металлизацией, для чего используют Аl или трехслойную систему Ti - Pt - Аu. При этом металлизированная разводка расположена на рельефной поверхности (рис. 2.11, г).

Отличительной особенностью VIP-процесса является формирование кристаллов ИМС с гладкой поверхностью, что повышает качество и надежность внутрисхемных соединений. Для этого полученную после травления рельефную поверхность (рис. 2.12, а) защищают двойным слоем SiO₂ - Si₃N₄ (рис. 2.12, б), поверх него выращивают поликристаллический кремний, лишнюю часть которого удаляют полированием до слоя Si₃N₄ (рис. 2.12, в). Завершают формирование элементов и внутрисхемных соединений металлизацией, как по обычной технологии (рис. 2.12, г) [3].