Разработка гибридной интегральной схемы усилителя электрических сигналов низкой частоты

курсовая работа

3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов

Выбор навесных элементов:

В разрабатываемой интегральной микросхеме навесными элементами являются транзисторы VТ1 и VT2 с размерами:

2П201А-1:

2Т370А-1:

Резистор R1, который определяет входное сопротивления устройства выбираем из стандартного ряда ряд Е24, R3 =330 кОм с размерами: L=6мм, В=2,2 мм

Навесные элементы необходимо устанавливают не ближе 500мкм от пленочных элементов и не ближе 600мм от контактных площадок; минимально допустимое расстояние между навесными элементами 300 мкм. Длина проволочных выводов навесных элементов допускается от 600 мкм до 5 мм. Расчет пленочных резисторов:

Расчет максимальной рассеиваемой мощность каждого резистора и выбор конфигурации и размера.

, (25)

где Ii - ток, протекающий через резистор.

.

Далее определим коэффициент формы:

, (26)

где величина сопротивления;

- удельное поверхностное сопротивление.

Для изготовления резисторов выбираем сплав РС3001 с высоким удельным поверхностным сопротивлением. Удельное сопротивление сплава , удельная мощность рассеяния .

Подставив в (29) числовые значения, получим:

Так как , то резистор будет прямоугольной формы

Так как то резистор будет прямоугольником, у которого длина чуть меньше ширины.

Расчёт длины резистора:

, (27)

где расчетная мощность резистора;

удельная мощность материала.

*

*Округление производится до десятых долей в большую сторону.

Ширина резисторов определяется из формулы:

(28)

*Округление производится до десятых долей в большую сторону.

Полученные значения длины и ширины резисторов больше минимальных: , .

Расчёт плёночных конденсаторов:

Для плёночных конденсаторов в качестве диэлектрика выбираем окись тантала, как имеющую большую удельную ёмкость , в качестве материала обкладок - алюминий.

Рассчитаем площади конденсаторов:

(29)

Ввиду большой площади элементов и , более целесообразным представляется применение навесных элементов с номиналами из стандартного ряда Е24:

- К10-17, номинал 27 нФ, размеры: , .

- К53-26, номинал 4,7 мкФ, размеры: , .

Для проводников и контактных площадок выбираем медь с подслоем ванадия для улучшения адгезии к подложке. Толщину проводников и контактных площадок примем 0,5 - 1 мкм. Размеры контактных площадок 200х250 мкм и более.

Тонкопленочные элементы ГИС выполним путем термического, катодного или ионо-плазменного напыления на диэлектрическую подложку соответствующего материала через диэлектрические маски.

Формирование конфигурации тонкопленочных элементов выполним с применением метода фотолитографии .

Делись добром ;)