Разработка зарядного устройства

дипломная работа

2.1.1 Обоснование выбора транзисторов

Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.

"right">Таблица 3.1

Тип транзистора

Iк max

Pk max

UКБО мах

F

КТ 972А

8Вт

60В

200МГц

КТ 971А

17А

200Вт

60В

150МГц

КТ 972Б

8Вт

45В

200МГц

Выбираем транзистор с наибольшей мощностью и высокой частотой типа КТ 972А.

"right">Таблица 3.2

Тип транзистора

Iк max

Pk max

UЭБО мах

F

КТ 315Г

100 мА

150 Вт

6 В

250 МГц

КТ 315А

100 мА

150 Вт

6 В

200 МГц

КТ 3151В

100 мА

200 Вт

6 В

100МГц

Выбираем транзистор с малой мощностью и высокой частотой типа КТ 315Г.

"right">Таблица 3.3

Тип транзистора

Iк max

Pk max

UЭБО мах

F

КТ 973А

4 А

8 Вт

5 В

200 МГц

2Т877В

20 мА

50 Вт

5 В

100 МГц

2Т877Б

20 мА

50 Вт

5 В

100МГц

Выбираем транзистор с высокой мощностью и высокой частотой типа КТ 973А.

Делись добром ;)