3.2 Расчет узкого места
1. Рассчитаем минимальный диаметр контактной площадки
D kmin =2Вm + d0 +1.5hф +2?л+C1 (3.2.1)
D kmin = 2 x 3 +0.7+1.5 x 0.3+2 x 0.567 + 0.65
D kmin = 8.9мм
Где Вm - расстояние от края просверленной линии до края контактной площадки.
d0 - номинальный диаметр металлизированного отверстия.
hф - толщина фольги
?л =?м L/100- изменение длинны печатной платы при нестабильности линейных размеров.
Где L - размер большой длинны печатной платы
?м - изменение контактной площадки при нестабильности линейных размеров (обычно 0,3 мм)
С1 - поправочный коэффициент
С1 учитывает погрешности при центровке, сверлении, при изготовлении фото шаблона и др.
Толщина фольги - 0,3 - 0,5мм
Печатные платы размером более 240*240мм - 1 класс плотности
Для плат размером меньше 240*240мм больше 170*170мм - 1 и 2 классы плотности, платы меньших размеров 3 класс плотности.
?л =?м L/100 (3.2.2)
?л = 0.3*189/100
?л = 0,567мм
2. Рассчитываем максимальный диаметр контактной площадки
D kmах =2Вm + d0 +1.5hф +2?л+C2 (3.2.3)
D kmax = 2 x 3 + 0.7+1.5 x 0.3+2 x 0.567+0.77
D kmax = 9мм
Минимальное расстояние для прокладки n проводников между двумя контактными площадками должно обеспечиваться при максимальном диаметре контактной площадки и максимальной ширине проводника с учетом погрешности ?ш
3. Минимальное расстояние для прокладки n проводников.
Lmin = 0.5(Dk1min + Dk2max) + 2?ш +(Tmax + ?ш)n + S(n+1) < kh, (3.2.4)
Где Tmax = T + ?ш + 2?э
k - число клеток координатной сетки
h - шаг координатной сетки
?э - погрешность при экспонировании.
Lmin = 0.5(Dk1min + Dk2max) + 2?ш +(Tmax + ?ш)n + S(n+1) < kh, (3.2.4)
T max = T + ?ш + 2?э (3.2.5)
T max =0.67 + 0.05 + 2*0.06=0,84мм
L min = 0.5(21.806+21.926) + 2 x 0.05 + (0.84+0.05) x 2 + 0.5(2+1) <20
L min = 4.45 + 4.5 + 0.1+1.78 +1.5 <20
L min= 12.23<20
3.3 Расчет высокочастотной экранированной катушки
Определить размеры, число витков и добротность катушки индуктивности по следующим данным:
Lкэ - индуктивность экранированной катушки (МкГн) - 1 МкГн
f - рабочая частота (МГц) - 132 МГц
а*а - площадь, занимаемая катушкой (мм2) 16,5 х 16,5
1. Определим размер экрана. Применим экран квадратной формы с размером стороны а. Эквивалентный диаметр экрана.
Дэ = 1,2а (3.3.1)
Дэ = 1,2*16,5
Дэ = 19,8 мм
1. Максимальная добротность катушки имеем при 1/Д=1,
Где 1- осевая длинна катушки, Д-её диаметр.
Высокая добротность имеется, если Д=Дэ/2
Найдем Д (см) и 1=Д(см)
Д= Дэ/2 (3.3.2)
Д=19,8/2
Д= 9,9см
2. По графику 1 определяем n, n =1.4
3. Определяем расчетную величину катушки индуктивности без экрана
L = Lкэ/(1-n(Д/Дэ)3) (3.3.3)
L = 1/(1-1,4(9,4/19,8)3)
L = 1/5
L = 0,2мкГн
4. находим оптимальный диаметр провода для однослойной катушки. Считаем, что Д=Д0 где Д0 - диаметр каркаса. Пусть 1/Д=1, тогда 1=Д
По графику 2 находим вспомогательный коэффициент S
S = 0.4
5. Находим вспомогательный коэффициент P1
P12=(LS)/Д (3.3.4)
P12= (0,2*0,4)/9,93
P12= 3,3Вт
6. Находим коэффициент а1
а1 = fср/PL2 (3.3.5)
а1 = 132/3,3
а1 = 40
7. По найденному значению коэффициента а1 и по графику 3 находим коэффициент В = P1*dопт, где dопт - оптимальный диаметр провода
Находим оптимальный диаметр провода
dопт = B/P1 (3.3.6)
dопт = 0.5/40
dопт = 0.8мм
dопт округляют для ближайшего стандартного значения. (Таблица1)
10. Число витков катушки определяем по формуле.
N=v10-3*L/L0*Д (3.3.7)
N=v0,2*10-3/3*9,9
N=v6,73
N=3 витка
Где L0 зависит от 1/Д и определяется по графику 4t/Д берем равным 0. Проверим возможность размещения числа витков на принятой длине обмотки Д в см.
11. Находим шаг намотки
t=1/(N-1) (3.3.8)
t = 1/2.6 -1
t = 0.63мм
12. Собственная емкость катушки, намотанной в один слой на гладком каркасе.
С0=0,5Д0 (3.3.9)
С0= 0,5*9,9
С0 = 4,65мкГн
13. Находим сопротивления току высокой частоты
rf = 0.52ДNvf10-3/dиз (3.3.10)
rf =0,52*9,9*2,6v132*103/0,13
rf = 13,38*11,5*103/0,13
rf = 1153Ом
13. Добротность катушки определяем по формуле
Q = wL/ rf =6.28fL/ rf (3.3.11)
Где f- частота в МГц, L - индуктивность в мкГн
Q = 6,28*132*2.6/1153
Q = 1,8
- Введение
- 1. Общая часть
- 1.1. Анализ технического задания
- 1.3 Особенности данного типа микропроцессора PIC12F675
- 2. Исследовательская часть
- 2.1.1 Обоснование выбора транзисторов
- 2.1.2 Обоснование выбора диодов
- 2.2.3. Обоснование выбора резисторов
- 2.2.4. Обоснование выбора конденсаторов
- 2.2.5 Обоснование выбора микросхем.
- 3. Расчетная часть
- 3.2 Расчет узкого места
- 4. Конструкторская часть
- 4.2. Обоснование разработки компоновки печатной платы
- Обзор аналогов зарядного устройства
- 1.1.12 Автоматическое зарядное устройство
- 1.1.1 Зарядное устройство
- 2. Зарядные устройства
- Зарядные устройства
- 14 Виды зарядных устройств
- 1.2 Этапы разработки автоматизированного зарядного устройства
- 1.1.3.3 Зарядное устройство № 8
- Зарядные устройства
- 8.5. Зарядные устройства свинцово-кислотных аккумуляторов Простые зарядные устройства