4. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ КРИСТАЛЛА

Для разработки топологии кристалла необходимо учитывать следующее:

должна быть выбрана оптимальная конфигурация размещения областей;

каждая область должна занимать как можно меньшую площадь;

если в результате разработки топологии остались свободные участки площади (объёмы), они могут быть использованы для увеличения наиболее критичных размеров областей.

Исходя из вышеприведённых положений, разрабатывается топология кристалла, т.е. наиболее оптимальное размещение в его объёме областей магнитодиода.

1 - область p+ проводимости, легированная бором;

2 - область n+ проводимости, легированная фосфором;

3 и 4 - окисел SiO2;

5 - металлизация (наносится сплав Al-Si);

6 - плёнка хрома;

7 - плёнка меди;

8 - плёнка олово-висмут;

9 - припой ПОС 61.

5. СОСТАВЛЕНИЕ СХЕМЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ

При составлении схемы электрической принципиальной необходимо учитывать, что через магнитодиод должен протекать ток 0,15 мА, а рабочее напряжение равно 4 В. Приведём следующую принципиальную схему датчика для регистрации перемещений:

Магнитное поле изменяет сопротивление магнитодиода и, следовательно, входной ток транзистора, что приводит к изменению падения напряжения на резисторе R2, с которого снимается выходное напряжение. При минимальном значении магнитной индукции 0,07 Тл, когда магнитодиод находится на расстоянии 1 мм от точки с максимальной магнитной индукцией 0.137 Тл, транзистор будет закрыт. При уменьшении этого расстояния магнитное поле увеличивается и транзистор открывается.