Разработка системы самонастройки

курсовая работа

4. Описание элементной базы

Серия К155 [1],[2],[8],[9] изготовляется на основе ТТЛ - технологии (транзисторно-транзисторной логики). При изготовлении применяются биполярные транзисторы и многоэмиттерный транзистор на входе логического элемента. Эта технология позволяет получить высоконадежные микросхемы среднего быстродействия. Выпускаются в пластмассовых корпусах.

Основные элементы обозначения отечественных микросхем:

1. Буква К обозначает микросхемы широкого применения, для микросхем военного назначения буква отсутствует;

2. Тип корпуса микросхемы (один символ) -- может отсутствовать. Например, Р -- пластмассовый корпус, М -- керамический, Б -- бескорпусная микросхема;

3. Номер серии микросхем (от трех до четырех цифр);

4. Функция микросхемы (две буквы);

5. Номер микросхемы (от одной до трех цифр).

Микросхемы серии К155ЛА4 (рисунок 4.2 [2;62]) выполняют логическую функцию И-НЕ. В одном корпусе размещается один сложный элемент, состоящий из трех простых 3И-НЕ. Имеют единую шину питания - вывод 14, общую шину - вывод

Назначение выводов микросхемы:

Ш 1, 2, 3, 4, 5, 9, 10, 11, 13 - логические входы элементов;

Ш 6, 8, 12 - выходы логических элементов;

Ш 7 - общий;

Ш 14 - напряжение питания.

Рисунок 4.2 - Микросхема К155ЛА4

Микросхемы серии К155ЛА3 (рисунок 4.1[2; 62]) выполняют логическую функцию И-НЕ. В одном корпусе размещается один сложный элемент, состоящий из четырех простых 2И-НЕ. Имеют единую шину питания - вывод 14, общую шину - вывод 7.

Назначение выводов микросхемы:

Ш 1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13 - логические входы элементов;

Ш 3, 6, 8, 11 - выходы логических элементов;

Ш 7 - общий;

Ш 14 - напряжение питания.

Рисунок 4.1 - Микросхема К155ЛА3

Микросхема К155ЛА1 (рисунок 4.5 [2; 61]) представляет собой два логических элемента 4И-НЕ.

Назначения входов микросхемы:

Ш 1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13 - логические входы элементов;

Ш 6, 8 - выходы логических элементов;

Ш 7 - общий;

Ш 14 - напряжение питания.

Рисунок 4.5 - Микросхема К155ЛА1

Электрические параметры микросхем К155ЛА1, К155ЛА3, К155ЛА4, [2], [9] показаны в таблице 2.

Таблица 2 - Параметры микросхем К155ЛА1, К155ЛА3, К155ЛА4,

Параметр

К155ЛА1

К155ЛА3

К155ЛА4

Номинальное напряжение питания

5В ± 5%

5В ± 5%

5В ± 5%

Выходное напряжение низкого уровня

не более 0,4В

не более 0,4В

не более 0,4В

Выходное напряжение высокого уровня

не менее 2,4В

не менее 2,4В

не менее 2,4В

Напряжение на антизвонном диоде

не менее -1,5В

не менее -1,5В

не менее -1,5В

Помехоустойчивость

не более 0,4 В

Входной ток низкого уровня

не более -1,6мА

не более -1,6мА

не более -1,6мА

Входной ток высокого уровня

не более 0,04 мА

не более 0,04 мА

не более 0,04 мА

Входной пробивной ток

не более 1мА

не более 1мА

не более 1мА

Ток короткого замыкания

-18…-55мА

-18…-55мА

-18…-55мА

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения

не более 11мА

не более 22мА

не более 16,5мА

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения

не более 4мА

не более 8мА

не более 6 мА

Потребляемая статическая мощность на 1 логический элемент

не более 19,7 мВт

не более 19,7 мВт

не более 19,7 мВт

Время задержки распространения при включении

не более 15 нс

не более 15 нс

не более 15 нс

Время задержки распространения при выключении

не более 22 нс

не более 22 нс

не более 22 нс

5. Модернизация схемы сумматора коррекции интерполятора

На этом этапе курсового проекта будет проведена модернизация одного из блоков схемы сумматора коррекции интерполятора - «выходные вентили». На принципиальной схеме этого блока требуется изменить обозначения некоторых элементов согласно современным требованиям ГОСТ. И заменить старые микросхемы серии К155, так как они постепенно снимаются с производства и отличаются не слишком хорошими параметрами по сравнению с другими сериями, на более современные микросхемы серии К555, которые должны подходить по выполняемым логическим функциям и электрическим параметрам.

Микросхемы серии К555 изготавливаются на основе ТТЛШ- технологии (транзисторно-транзисторная логика с переходами Шотки) [1], [3],[5],[9],[10]. Является усовершенствованным вариантом ТТЛ-технологии, при которой применяются биполярные транзисторы Шотки. Эффект Шотки создается, когда во внутреннюю структуру p-n -перехода встраивают тонкий слой металла, что существенно ускоряет процесс рассасывания неосновных носителей в базе транзистора при его переключении и увеличивает быстродействие схемы.

Серия К555 отличается от серии К155 малыми входными токами и меньшей потребляемой мощностью (ток потребления -- почти втрое меньше, чем у К155). А если подробнее, то чипы серии К555 отличаются более высоким быстродействием, меньшим энергопотреблением и устойчивой работой, чем микросхемы серии 155. В серии 555 увеличен набор функциональных возможностей, что позволяет использовать их для разных целей. Они имеют гораздо меньшие габариты и большую номенклатуру.

Микросхемы разных серий обычно легко сопрягаются между собой, то есть сигналы с выходов микросхем одной серии можно смело подавать на входы микросхем другой серии. Поэтому произведём замену микросхем серии К155 на более новые и современные микросхемы серии К555, с подходящими логическими функциями и параметрами.

Диагностируемый блок «выходные вентили» изображён на чертеже АПиРС. КП. ПЭ-25. 03.Э3 , который прилагается к пояснительной записке.

Блок «выходные вентили», изначально состоящий из двух микросхем К155ЛА3, после модернизации будет состоять из двух следующих микросхем серии К555:

1) ) К555ЛА4 представляет собой три логических элемента 3И-НЕ. В блоке «структуры адреса» используются все три элемента 3И-НЕ. Назначения выводов и условно графическое обозначение аналогичны микросхеме К155ЛА4, которая представлена в разделе “Описание элементной базы”.

2) К555ЛА3 представляет собой четыре логических элемента 2И-НЕ. В блоке «выходные вентили» используются все четыре элемента 2И-НЕ. Назначения выводов и условно графическое обозначение аналогичны микросхеме К155ЛА3, которая представлена в разделе “Описание элементной базы”.

Наглядное сравнение электрических параметров микросхемы К155ЛА3 с параметрами микросхем К555ЛА4; и К555ЛА3 [2], представлено в таблице 3.

Таблица 3 - Основные электрические параметры микросхем

Параметр

К155ЛА3

К555ЛА4

К555ЛА4

К555ЛА3

Номинальное напряжение питания

5В ± 5%

5 В  5 %

5В ± 5%

5В ± 5%

Выходное напряжение низкого уровня

не более 0,4 В

не более 0,4 В

не более 0,4 В

не более 0,5 В

Выходное напряжение высокого уровня

не менее 2,4 В

не менее 2,4 В

не менее 2,7 В

не менее 2,7 В

Входной ток низкого уровня

не более -1,6 мА

не менее -1,5 В

не более -0,4 мА

не более -0,36 мА

Входной ток высокого уровня

не более 0,04 мА

не более -1,6 мА

не более 0,02 мА

не более 0,02 мА

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения

не более 22 мА

не более 11,5 мА

не более 0,04мА

не более 4,4 мА

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения

не более 8 мА

не более 1 мА

не более 1,6 мА

не более 1,6 мА

Потребляемая статическая мощность на один логический элемент

не более 19,7 мВт

не более 13,5 мВт

не более 5,75 мВт

не более 5,75 мВт

Делись добром ;)