Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора

курсовая работа

1.1 Исходные данные. Задание

"right">Таблица 1.1

Исходные данные

1

Вариант

19

2

Материал затвора

Si*

3

Длина канала, мкм

L = 3

4

Ширина канала, мкм

W = 50

5

Толщина подзатворного диэлектрика (SiO2), мкм

d = 0.08

6

Концентрация примеси в подложке, см-3

NB = 2•1015

7

Подвижность электронов в канале, см2/В•с

n = 500

8

Плотность поверхностных состояний, см-2

Nss = 7•1010 (Qss > 0)

9

Концентрация примеси в контактных n+- слоях, см-3

N + = 1020

10

Толщина контактных п+-слоев, мкм

xj = 0.4

Общие данные

e = 1.62*10-19 Кл - заряд электрона,

е0 = 8.85*10-14 Ф/см диэлектрическая проницаемость вакуума,

е = 11.9 - относительная проницаемость Si,

еd = 3.4 - относительная проницаемость диэлектрика,

Еs = 1.5*104 В/см - продольное электрическое поле в канале,

Vt = 1 В - пороговое напряжение.

Задание

1. При заданных исходных данных обеспечить пороговое напряжение:

2. Рассчитать и построить выходные характеристики при в диапазоне напряжений:

(шаг 1 В) -- в приближении идеализированной модели,

-- реальная ВАХ.

3. Привести малосигнальную эквивалентную схему, объяснить смысл элементов

4. Расчет и корректировку проводить с учетом эффектов короткого и узкого канала

5. В дополнение к п.2 построить реальную выходную ВАХ для ,

6. Рассчитать параметры эквивалентной схемы в режиме ,

Делись добром ;)