Похожие главы из других работ:
Изучение свойств варикапа
Емкостные свойства плоскостного диода обусловлены наличием внутреннего электрического поля в р-п переходе. Рассмотрим причины образования этого поля.
На рисунке 2 показано пространственное распределение дырок - *, электронов - O...
Изучение свойств варикапа
На рисунке 4 показано распределение концентраций электронов и дырок в р-n-переходе. Если атомы доноров и акцепторов полностью ионизированы, то концентрация дырок в р-области равна концентрации акцепторов...
Изучение свойств варикапа
Если ток через полупроводниковый диод (или приложенное к нему напряжение от внешнего источника) быстро изменяются, то новое распределение зарядов устанавливается не сразу. Внешнее напряжение меняет ширину перехода, а значит...
Микрофон: устройство, принцип действия, применение
Угольный микрофон из телефонного аппарата
Угольный микрофон практически не требует усиления сигнала, сигнал с его выхода можно подавать непосредственно на высокоомный наушник или громкоговоритель...
Милицейская крякалка (сирена) на PIC-микроконтроллере
Вне зависимости от типа транзистора, принцип применения его един:
Источник питания питает электрической энергией нагрузку, которой может быть громкоговоритель, реле, лампа накаливания, вход другого, более мощного транзистора...
Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
1) Выпрямительный Диод Д202
Выпрямительным диодом (или выпрямителем) называют компонент электрической цепи, преобразующий переменный ток в постоянный. Обычно это полупроводниковый диод, оказывающий высокое сопротивление току...
Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
1) Диод Д202:
- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 400 мА не более 1В;
- Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более500 мкА;
- Емкость p-n-перехода 79 пФ...
Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
1) Диод Д202:
- Постоянное (импульсное) обратное напряжение ………………100 В;
- Средний прямой ток:
при наличии теплоотводящего шасси площадью 40 см2 ….…....400 мА;
без теплоотводящего шасси……………………………………......
Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Рисунок 1. - Вольтамперная характеристика диода
Рисунок 2. - Вольтамперная характеристика стабилитрон
Рисунок 3...
Полупроводниковый прибор КД409А
Полупроводниковый прибор КД409А является импульсным диодом кремниевым эпитаксиальным. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рисунок 1)...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
На начальном этапе конструирования определяется поверхностное сопротивление Rсл базовой области. Сначала определяем условную дозу легирования Qп, т.е. количество примеси, приходящееся на 1 см2 в пределах от 0 до Хб...
Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата
1. Определим площадь, занимаемую элементами на кристалле. Площадь, занимаемая активными элементами:
,
где - площадь одного транзистора; n - число активных элементов.
2. Определим площадь под диоды:
где - площадь одного диода;
3...
Расчет и проектирование динистора
Отправной точкой в процессе разработки тиристоров является выбор исходного материала, а именно самого полупроводника. В качестве материала, использующегося в настоящее время для создания мощных тиристоров, служит кремний или...
Система глобального позиционирования
Картографические системы Trimble используются в различных областях. С помощью них можно создавать и обновлять базы данных ГИС для различных дисциплин. В частности они нашли широкое применение в сфере природных ресурсов...
Современные лазерные гироскопы
В настоящее время уже отчетливо виден ряд достоинств когерентных оптических гироскопов, которые могут определить области их практического применения. Также их характеристики, как нечувствительность к большим ускорениям...