Выращивание монокристалла с заданными свойствами

курсовая работа

4. Обоснование выбора метода выращивания GaP

Фосфид галлия обладает высокой температурой плавления. Из раствора GaP будет испаряться фосфор, этого можно избежать, применив специальный флюс. Для выращивания монокристалла фосфида галлия данной массы и размеров воспользуемся методом Чохральского для разлагающихся полупроводниковых соединений. Наш выбор основан на том, что, во-первых, другие распространенные методы получения монокристаллов с высокой степенью совершенства (метод бестигельной зонной плавки, метод гарнисажной плавки) не позволяют работать с разлагающимися соединениями. В методе гарнисажной плавки невозможно применить покровный флюс, потому как необходимо обеспечить доступ электронного пучка к расплавляемой зоне. В методе бестигельной зонной плавки в силу вертикальной ориентации флюс не применим. А ,во-вторых, технология метода Чохральского хорошо изучена и является наиболее дешевым вариантом.

Делись добром ;)