Выводы

Мы разработали технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Создание монокристалла состоит из двух этапов.

Первый этап, это синтез раствора GaP в квазигерметичном реакторе при температуре 1750°К. Реактор имеет длину 30см и поперечный диаметр 10-15 см. В реактор загружаются 3460 гр. галлия и 1678,54гр. красного фосфора. В результате синтеза получается 4997 гр. раствора фосфида галлия.

Второй этап, проходит в установке выращивания кристаллов по методу Чохральского. Тигель с раствором имеет высоту 12 см и диаметр 12 см. Скорость вытягивания кристалла составляет 1 мм/мин, скорость вращения кристалла 90 об/мин., а скорость вращения тигля 10 об/мин. Выход годного материала с концентрацией дырок 5*1017 см-3 при заданных условиях составил 0,811. Степень компенсации вдоль длинны кристалла меняется от 20% до 30% (значение при 81,1% закристаллизовавшегося слитка). Для получения необходимой концентрации носителей заряда в раствор добавляется лигатура с концентрацией примеси 1020 см-3. Масса лигатуры с учетом остаточных примесей в растворе: цинка - 56,37 гр., теллура - 45,93 гр.

Список использованной литературы

1. Производство полупроводниковых материалов. Нашельский А.Я.: Учебное пособие для подготовки рабочих. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М.: Металлургия, 1989.

2. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.: Учебник для вузов. - Изд. 3-е. - СПб.: Лань, 2003.

3. Технология и автоматизация производства материалов и изделий электронной техники. Б.Л. Антипов, Н.А. Смирнова, Е.Л. Солодовникова, В.С. Сорокин: Учеб. Пособие - СПб.: СПбГЭТУ, 1992.

4. Справочник по электротехническим материалам. Том 3. Корицкий Ю.В., Пасынков В.В., Тареев Б.М. - Изд. 3-е перераб. - Ленинград: Энергоатомиздат, 1988.

Размещено на Allbest.ur