Похожие главы из других работ:
Блок управления модулятором добротности твердотельного лазера
Рис. 6. Схема ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (строб задержки)
Мультивибратор с эмиттерной связью в данной схеме (Рис. 6) применяется как ждущий генератор импульсов прямоугольной формы с заданной длительностью...
Блок управления модулятором добротности твердотельного лазера
Рис. 7 Схема ждущего мультивибратора с эмиттерной связью(строб работы)
Запуск второго мультивибратора (Рис. 7) происходит при помощи положительного импульса на коллекторе первого транзистора...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Разделительные дорожки (РД) формируются путем диффузии бора В+ с поверхности ЭС вглубь до смыкания с подложкой. При этом глубина залегания РД должна быть меньше ЭС на 1 мкм, т.е.
xjРD = hЭС + 1 мкм. (5.1)
В нашем случае, согласно выражению (5.1) xjРD = 7,062 мкм...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Формирование базовой области проведем методом имплантации ионов бора В с последующей термической диффузией имплантированных ионов.
Выбираем дозу имплантированных ионов бора Ф = 10 мкКл/см2 и энергию имплантированных ионов ЕИ = 20 кэВ...
Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления
Эмиттерные области формируются путем диффузии фосфора P. Глубина перехода эмиттер-база определяется на основании следующих значений:
выбранного нами значения глубины залегания xjКБ = 3 мкм,
заданного в задании значения ширины активной базы Wa = 0...
Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
...
Расчёт каскадов радиопередатчика на биполярных транзисторах
Сопротивление корректирующей цепочки
>36Ом
Дополнительное сопротивление базовой коррекции
Емкость корректирующей цепочки
Сопротивление упрощённой эмиттерной коррекции
Крутизна переходной характеристики транзистора с...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Сущность легирования состоит в том, что в полупроводник внедряется легирующая примесь и образует область с определённым типом проводимости. Чтобы получить p-n переход, количество введённой примеси должно быть достаточным...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Исходные данные для расчета:
Так как удельное сопротивление в подложке...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Режим получения пленки нитрида кремния
Нитрид кремния получают методом химического осаждения при температуре . Для получения данной пленки используются установки эпитаксиального наращивания или однозонные диффузионные печи...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Т.к. диффузия базового слоя производится на глубину 1,8 мкм, то она будет проходить в два этапа: этап загонки и разгонки примеси. Расчет начнем с этапа разгонки.
Этап разгонки примеси бора...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Т.к. эмиттерная диффузия осуществляется на глубину менее 2 мкм, то она будет проводиться в одну стадию - этап загонки.
При расчете режимов одностадийной диффузии выбор времени и температуры диффузии так же, как и в случае двухстадийной диффузии...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Так как в сильно легированных областях коэффициент диффузии зависит от концентрации, то для более точного расчета профиль распределения примеси разделяют на три участка:
· первый участок - ;
· второй участок - ;
· третий участок - ,
где...
Усилитель импульсный
Схема эмиттерной коррекции представлена на рисунке 6.1.
Рисунок 6.1 - Схема эмиттерной коррекции
Эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором...
Усилитель импульсный
Схема эмиттерной коррекции представлена на рисунке 7.2.
Рисунок 7.2 - Схема эмиттерной коррекции промежуточного каскада
Эмиттерная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором...