Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)

курсовая работа

2.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии

Так как эмиттерная диффузия осуществляется на глубину менее 2 мкм, то она будет проводиться в одну стадию - этап загонки.

а. Определим исходную концентрацию примеси в базе на глубине эмиттерного перехода

б. Определим поверхностную концентрацию примеси в эмиттере:

Используя кривые Ирвина [ ] находим поверхностные концентрации:

в. Определим температуру этапа загонки, коэффициент диффузии фосфора и время этапа загонки:

Используя таблицу функций дополнения интеграла ошибок erfc z [ ], находим значение z:

Принимаем температуру этапа загонки примеси фосфора равной:

Построение профиля распределения примеси в базе и эмиттере

Рис. 2.4. Профиль распределения примесей в эмиттере и базе.

Делись добром ;)