Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем

курсовая работа

2.4.3 Литографические процессы

Основное назначение литографии при изготовлении структур микросхем - получение на поверхности пластин контактных масок с окнами, соответствующими топологии формируемых технологических слоев, и дальнейшая передача топологии (рисунка) с маски на материал данного слоя. Литография представляет собой сложный технологический процесс, основанный на использовании явлений, происходящих в резистах при актиничном облучении.

Резисты, растворимость которых в проявителе увеличивается после облучения, называются позитивными. Негативные резисты после облучения становятся практически нерастворимыми в проявителе.

Стандартно в электронной промышленности применяется оптическая литография - фотолитография (рисунок 5), - для которой применяют фоторезисты, чувствительные к актиничному излучению с длиной волны от 200 до 450 нм. Фоторезисты представляют собой сложные полимерные композиции, в составе которых имеются фоточувствительные и пленкообразующие компоненты, растворители и специальные добавки.

В проекте используется позитивный высококачественный и стабильный фоторезист ФП-20Ф, предназначенный для реализации контактных и проекционных фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. В соответствии с этим для травления можно применять слабый водный раствор KOH или NaOH.

Наиболее оптимальный способ нанесения фоторезиста - центрифугирование. Подложка закрепляется на горизонтальной центрифуге. На подложку наносится 1-5 мл фоторезиста (в зависимости от размеров подложки). Центрифуга приводится во вращение до скорости 1000-3000 об/мин (в зависимости от марки фоторезиста). Вращение продолжается 1-2 мин до формирования пленки фоторезиста, растворитель при этом испаряется.

Рисунок 5 - Схема основных операций фотолитографического процесса

Существует несколько способов экспонирования, в проекте будем использовать бесконтактный (рисунок 6). Проекционная печать позволяет полностью исключить повреждения поверхности шаблона. Изображение топологического рисунка шаблона проецируется на покрытую резистом пластинку, которая расположена на расстоянии нескольких сантиметров от шаблона.

1- источник света; 2- оптическая система; 3- шаблон;

4- фоторезист; 5- кремниевая пластина.

Рисунок 6-Схема проекционной печати[6]

Для достижения высокого разрешения отображается только небольшая часть рисунка шаблона. Это небольшая отражаемая область сканируется или перемещается по поверхности пластины. В сканирующих проекционных устройствах печати шаблон и пластина синхронно перемещаются.

При сушке фоторезиста очень важно подобрать нужные температуру и время. Сушка фоторезиста будет осуществляться наиболее распространенным способом - ИК-излучением. При этом растворитель удаляется равномерно по толщине слоя резиста и не происходит его уплотнения, а время сушки понижается до нескольких минут.

Делись добром ;)