Технология изготовления схемы интегрального усилителя
2.1 Расчет режимов диффузии
Режим получения пленки нитрида кремния
Нитрид кремния получают методом химического осаждения при температуре . Для получения данной пленки используются установки эпитаксиального наращивания или однозонные диффузионные печи. Для получения нитрида кремния используют реакцию :
Содержание
- ВВЕДЕНИЕ
- 1. АНАЛИЗ СХЕМЫ И РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
- 1.1 Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя
- 1.2 Технологический маршрут
- 2. ОСНОВНЫЕ РАСЧЕТЫ
- 2.1 Расчет режимов диффузии
- 2.1.1 Расчет режима базовой диффузии
- 2.1.2 Расчет режимов диффузии эмиттерной области
- 2.1.3 Расчет профиля распределения примеси в эмиттерной области
- 2.1.4 Построение профиля распределения примеси в базе и эмиттере до окисления
- 2.2 Расчеты режимов окисления
- 2.2.1 Расчет режимов окисления при получении диэлектрических карманов
- 2.2.2 Расчет режимов окисления при получении диэлектрической пленки
- 2.2.3 Расчет режимов окисления для создания защитной маски
- 2.2.4 Расчет профилей распределения примеси после окисления
- 3. Расчет точности изготовления резисторов
- ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Похожие материалы
- 1.1.1. Классификация и основные параметры интегральных схем
- V. Интегральные микроэлектронные схемы Общие сведения
- Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем
- 23.1. Технология изготовления интегральных микросхем
- Усилители в интегральном исполнении
- 5.Технология изготовления интегральных схем
- 12. Интегральные схемы. Классификация. Условные обозначения. Область применения.
- 1. В чем состоят основные базовые операции технологии изготовления интегральных схем.
- 5.12. Интегральные усилители переменного напряжения
- Технологии проектирования и изготовления специализированных имс