logo
Технология изготовления схемы интегрального усилителя

2.1.3 Расчет профиля распределения примеси в эмиттерной области

Так как в сильно легированных областях коэффициент диффузии зависит от концентрации, то для более точного расчета профиль распределения примеси разделяют на три участка:

· первый участок - ;

· второй участок - ;

· третий участок - ,

где, и - фиктивные поверхностные концентрации, обусловленные соответственно коэффициентами диффузии и .

На третьем участке выполняется следующее равенство при x=xэб.

Можно определить :

Для границ II и III участков при x=x2 верно следующее выражение.

Можно выразить :

Также для точки x2 можно записать:

Можно найти

Для границ I и II участков при x=x1 верно следующее выражение.

Можно получить

Также для точки x1 можно записать:

Теперь можно построить профиль распределения

Рис. 2.4 - Профиль распределения примеси в эмиттере по трем участкам, и по приближенной формуле.