Похожие главы из других работ:
Автоматизированная система изучения тепловых режимов устройств ЭВС
Компоненты электронно-вычислительных систем функционируют строго в ограниченном температурном диапазоне. Уход температуры за указанные пределы может привести к необратимым структурным изменениям компонентов...
Исследование свойств многослойных нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок в диапазоне СВЧ
Полный технологический цикл проектирования и изготовления радиоэлектронных компонентов на основе сегнетоэлектрических пленок представлен на рис. 1.1...
Медицинский прибор для прогнозирования динамики воспалительного процесса
Данный прибор будет охлаждаться c помощью вытяжных вентиляторов, встроенных в стенки корпуса.
Устанавливаем в первом приближении температуру стенок стенда:
, (38)
Где Тз- температура нагретой зоны, К;
Тс- максимальная температура в помещении...
Последовательный автономный резонансный инвертор с обратными диодами
Дальнейший расчёт проводится для двух режимов работы преобразователя, характеризуемых свойствами нагрузки: «холодного» и «горячего»...
Разработка диэлектрической стержневой ФАР
Проектируемая антенная решетка строится на базе диэлектрических стержневых антенн и для дальнейшего расчета диаграммы направленности всей решетки нам необходимо определить диаграмму направленности одиночного стержневого диэлектрического...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Сущность легирования состоит в том, что в полупроводник внедряется легирующая примесь и образует область с определённым типом проводимости. Чтобы получить p-n переход, количество введённой примеси должно быть достаточным...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Исходные данные для расчета:
Так как удельное сопротивление в подложке...
Технология изготовления интегральной схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Так как эмиттерная диффузия осуществляется на глубину менее 2 мкм, то она будет проводиться в одну стадию - этап загонки.
а. Определим исходную концентрацию примеси в базе на глубине эмиттерного перехода
б...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Режим получения пленки нитрида кремния
Нитрид кремния получают методом химического осаждения при температуре . Для получения данной пленки используются установки эпитаксиального наращивания или однозонные диффузионные печи...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Для создания хорошей изоляции слой окисла должен быть равен 3 мкм, а также быть плотным и надежным.
Окисление проводится при температуре по комбинированной технологии. Для этого в начале процесса в течение 15 мин...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
Как правило, получение оксида для создание маски проводится одновременно с разгонкой примеси, чтобы лишний раз не нагревать подложку. Качество покрытия особо не важно, поэтому окисление проводится во влажном кислороде...
Технология изготовления схемы интегрального усилителя
При расчете перераспределения примеси при окислении принимаем следующие допущения:
· Рост окисла направленный;
· Обе границы окисла неподвижны, т.е. считаем, что сначала вырастили пленку, а затем нагрели пластину...
Тонкопленочные резисторы
1) Удельное сопротивление сплавов. Сплавы металлов даже в массивном образце редко имеют удельное сопротивление больше 20--30 мкОм*см. Исключение составляют лишь гафний (30,6 мкОм*см), цирконий (42,4 мкОм* см), титан (43,1 мкОм* см) и марганец (139 мкОм*см)...
Тонкопленочные резисторы
В тех случаях, когда требуется обеспечить высокое значение поверхностного сопротивления и допустимы относительно высокие величины ТКС, в качестве материала для резистивных пленок могут быть использованы полупроводники...